处理中...

首页  >  产品百科  >  UPA1917TE-VB

UPA1917TE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA1917TE-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1917TE-VB

UPA1917TE-VB概述

    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的场效应晶体管(MOSFET),采用先进的 TrenchFET® 技术制造。这种器件主要用于负载开关应用,如电源管理、电机驱动和其他需要高可靠性和高效率的应用场合。由于其卓越的电气特性和耐用性,它广泛应用于各种工业和消费电子产品中。

    技术参数


    以下是该 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 的主要技术参数:
    - 电压参数:
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -30 V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 \( ID \):
    - 在 25°C 时: 4.8 A
    - 在 70°C 时: 4.1 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 20 A
    - 电阻参数:
    - 开态漏源电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = -10 \) V 时: 0.049 Ω
    - 在 \( V{GS} = -4.5 \) V 时: 0.054 Ω
    - 功率参数:
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - 在 25°C 时: 3.0 W
    - 在 70°C 时: 2.0 W
    - 温度参数:
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 到 150°C

    产品特点和优势


    1. 卤素无害:符合 IEC 61249-2-21 标准。
    2. 高效的 TrenchFET® 技术:提供低导通电阻,减少功耗。
    3. 高可靠性:能够承受高达 30V 的漏源电压和±20V 的栅源电压。
    4. 出色的热稳定性:最大热阻 \( R{thJA} \) 为 55°C/W,在稳态条件下为 34°C/W。

    应用案例和使用建议


    1. 负载开关:适用于需要快速响应和高可靠性的小型负载控制。
    2. 电源管理:用于直流电源的管理和调节,提供高效率的电力传输。
    3. 电机驱动:适合需要稳定控制和高电流能力的电机应用。
    使用建议:
    - 保持工作温度低于 150°C 以确保可靠性。
    - 使用适当的散热措施来管理功率损耗,特别是在高电流应用中。
    - 根据具体应用选择合适的栅源电压以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    该产品与其他电子元器件具有良好的兼容性,适合广泛的应用场合。VBsemi 提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用该器件的优势。

    常见问题与解决方案


    1. 高温运行导致性能下降
    - 解决方案:增加散热措施,例如安装散热片或使用散热风扇。
    2. 功率损耗过高
    - 解决方案:选择合适的外围电路和外部组件以降低功率损耗。
    3. 栅源电压设置不当
    - 解决方案:参考数据手册中的推荐电压值进行调整。

    总结和推荐


    总体而言,这款 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 具备优异的电气特性和可靠性,特别适用于高要求的应用场合。其高功率处理能力和高效的 TrenchFET® 技术使其成为市场上的佼佼者。我们强烈推荐这款产品给对性能和可靠性有严格要求的用户。
    通过以上分析,我们不仅了解了该产品的基本功能和技术参数,还掌握了其在实际应用中的表现和优势。希望这些信息能帮助您更好地理解并使用该产品。

UPA1917TE-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 4.8A
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1917TE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1917TE-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1917TE-VB UPA1917TE-VB数据手册

UPA1917TE-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
库存: 400000
起订量: 35 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504