处理中...

首页  >  产品百科  >  QM07N60F-VB

QM07N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: QM07N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM07N60F-VB

QM07N60F-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    基本介绍
    QM07N60F 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率功率转换和开关应用设计。该产品以其卓越的低损耗特性著称,广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、工业照明以及高强度放电灯(HID)和荧光灯照明等领域。
    主要功能
    - 实现低损耗开关操作,减少整体系统功耗。
    - 支持高频操作,提升系统的整体效率。
    - 提供高可靠性,在严苛的工作条件下表现优异。
    应用领域
    - 通信基础设施:服务器、电信设备的电源模块。
    - 工业控制:电机驱动、变频器等。
    - 照明行业:HID 和荧光灯驱动电路。
    - 其他高能效需求领域。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (最大值) | VDS 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.5 5 | V |
    | 导通电阻 (典型值) | RDS(on) 1.0 Ω |
    | 总栅极电荷 (典型值) | Qg 16 nC |
    | 开关速度相关参数
    | - 上升时间 | tr | ns |
    | - 下降时间 | tf | ns |
    其他重要参数
    - 额定电流:ID = 10A(TC=25℃)
    - 绝对最大额定值:漏源电压 (VDS) = 650V
    - 功耗:PD = 100W

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 低导通电阻 (RDS(on)):减少传导损耗,提高效率。
    - 超低栅极电荷 (Qg):降低开关损耗。
    - 雪崩能量等级:增强抗浪涌能力。
    - 优秀的热性能:RthJA = 63°C/W,适合高效散热。
    优势
    - 减少能耗,提高系统整体效率。
    - 提高可靠性,延长产品使用寿命。
    - 适用于高频开关应用,适合现代高效能要求的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源:利用其低损耗特性降低数据中心的运营成本。
    - 工业照明:HID 和荧光灯驱动,优化能效表现。
    - 光伏逆变器:作为关键开关器件,提供高性能和稳定性。
    使用建议
    - 在高频操作时,需确保良好的散热设计,避免热失控。
    - 在选择驱动电路时,应考虑栅极电荷对驱动器的要求。
    - 配套使用高性能的栅极驱动器以减少延迟并提升开关速度。

    5. 兼容性和支持


    QM07N60F 具有良好的兼容性,可轻松集成到多种电路设计中。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的产品文档、在线技术支持以及样品试用。此外,该产品符合 RoHS 和无卤素标准,适用于环保型应用。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 优化散热设计,增加外部风扇或热管。 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查焊接质量及 PCB 布局设计。 |
    | 开关损耗过高 | 调整驱动信号频率或使用更高效的驱动器。 |

    7. 总结和推荐


    产品评估
    QM07N60F 在功率 MOSFET 领域表现出色,其低导通电阻和高开关速度使其成为高能效应用的理想选择。其优异的抗浪涌能力和低温度依赖性进一步增强了可靠性。
    推荐使用
    强烈推荐该产品用于需要高效能、高可靠性的工业和商业应用。无论是服务器电源还是工业照明,QM07N60F 都能提供卓越的表现。
    如有任何疑问或需要定制化支持,请联系服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com。

    此手册的详细解读展示了 QM07N60F 的技术细节及其广泛的适用范围,是值得信赖的优质功率器件。

QM07N60F-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM07N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM07N60F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM07N60F-VB QM07N60F-VB数据手册

QM07N60F-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336