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UTT10N10L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: UTT10N10L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT10N10L-TN3-R-VB

UTT10N10L-TN3-R-VB概述

    UTT10N10L-TN3-R N-Channel 100 V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    UTT10N10L-TN3-R 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 100 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 集成了先进的 TrenchFET® 技术,主要用于电力转换和控制应用中。它具有高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和高开关频率性能,适用于各种电源管理和电机控制领域。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 100 | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | - | - | - | V |
    | 零栅极电压漏电流 | IDSS | - | 1 | 50 | µA |
    | 导通漏电流 | ID(on) | - | 40 | - | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.072 | 0.140 | Ω |
    | 前向跨导 | gfs | - | 35 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | 950 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 120 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 60 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 24 | 41 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 8 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 12 | - | nC |
    | 栅极电阻 | Rg | 0.5 | - | 2.9 | Ω |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 15 | 25 | ns |
    | 上升时间 | tr | 50 | - | 75 | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | 30 | - | 45 | ns |
    | 下降时间 | tf | 60 | - | 90 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:采用 TrenchFET® 技术,具有低导通电阻(RDS(on)),使得功耗更低。
    - 宽工作温度范围:支持高达 175°C 的结温,适应恶劣的工作环境。
    - 可靠性高:所有产品均通过 100% Rg 测试,保证长期稳定性。
    - 符合环保标准:符合 RoHS 指令,绿色环保。
    - 兼容性好:适合多种应用场合,如开关电源、电机驱动和照明系统。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 作为初级侧开关,用于开关电源设计。
    - 适用于电机驱动控制,提供高效能的开关控制。
    - 在 LED 照明系统中作为开关元件,实现高效节能。
    使用建议:
    - 设计时考虑合适的散热方案,确保工作温度不超过 175°C。
    - 根据具体应用场景选择合适的封装尺寸,以优化 PCB 布局。
    - 注意电路保护措施,避免瞬态电压对器件造成损坏。

    5. 兼容性和支持


    UTT10N10L-TN3-R 与常见的 PCB 封装相兼容,适合多种标准电路板布局。制造商提供详细的技术支持文档和售后服务,确保客户能够顺利进行设计和生产。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 工作温度超过极限 | 采用外部散热措施,降低工作温度。 |
    | 导通电阻过高 | 检查栅极驱动电压是否正常,调整驱动电路。 |
    | 开关速度慢 | 调整栅极电阻,减少栅极电荷。 |
    | 出现过电流保护 | 检查负载情况,调整电路参数。 |

    7. 总结和推荐


    UTT10N10L-TN3-R 是一款集高性能、高可靠性和低功耗于一体的 N-Channel 100 V MOSFET。其独特的 TrenchFET® 技术使其在开关电源和电机驱动应用中表现出色。鉴于其出色的特性和广泛的适用性,强烈推荐用于需要高效率和可靠性的电力管理系统。

UTT10N10L-TN3-R-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT10N10L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT10N10L-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT10N10L-TN3-R-VB UTT10N10L-TN3-R-VB数据手册

UTT10N10L-TN3-R-VB封装设计

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