处理中...

首页  >  产品百科  >  K3708-VB

K3708-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K3708-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3708-VB

K3708-VB概述

    K3708-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K3708-VB 是一款 N 沟道 100-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品主要用于功率控制、开关电源转换、电机驱动等领域,适用于各种需要高效能开关的电子设备。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):100V
    - 最大栅极电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):在环境温度为 25°C 时,为 55A;在 125°C 时,为 40A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):35A
    - 雪崩电流 (IAR):35A
    - 重复雪崩能量 (EAR):61mJ
    - 最大功耗 (PD):在环境温度为 25°C 时,为 127W;在环境温度为 125°C 时,为 3.75W
    - 热阻 (RthJA):40°C/W(结到环境)
    - 热阻 (RthJC):1.4°C/W(结到壳体)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):100V
    - 栅阈电压 (VGS(th)):1-3V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 栅零电压漏极电流 (IDSS):1µA
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):45pF
    - 输出电容 (Coss):270pF
    - 反向转移电容 (Crss):90pF
    - 总栅电荷 (Qg):35-60nC
    - 栅源电荷 (Qgs):11nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):9nC
    - 栅电阻 (RG):1.7Ω

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:提供更高的电流密度和更低的导通电阻。
    - 高工作温度:可承受高达 175°C 的结温。
    - 低热阻:结到壳体的热阻仅为 1.4°C/W,确保长时间运行时的稳定性和可靠性。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V 时,RDS(on) 为 0.036Ω,实现高效的功率损耗管理。
    - 大电流能力:在 VGS = 10V 时,最大漏极电流可达 75A。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:常用于高频逆变器、电机驱动器、电源管理等场合。例如,在电机驱动器中,K3708-VB 可以提高系统的效率和可靠性。
    - 使用建议:在设计电路时,注意漏极电流和热阻,以确保长期稳定运行。为了减少热量积聚,建议使用散热片或优化散热设计。此外,根据手册中的安全操作区域(SOA)曲线,合理选择工作电压和电流,避免超过额定极限。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K3708-VB 支持与多种控制器和驱动电路兼容,可用于不同的应用场景。
    - 支持和服务:制造商提供详细的用户手册和技术支持服务,确保用户能够充分利用产品的性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高电流应用中,如何有效散热?
    - 解决方案:建议使用大面积散热片,并优化散热路径,确保 MOSFET 能够正常工作。

    - 问题 2:如何确保漏极电流在极端温度下仍可靠?
    - 解决方案:选择合适的散热措施,并参考数据手册中的安全操作区域(SOA)曲线,确保工作点安全。

    7. 总结和推荐


    K3708-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有出色的热管理和高效性能。适用于多种高功率应用场景,如电机驱动和电源管理。其高耐温能力和低导通电阻使其在市场上具备显著的竞争优势。综上所述,强烈推荐 K3708-VB 作为高效能开关电路的理想选择。

K3708-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 55A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3708-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3708-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3708-VB K3708-VB数据手册

K3708-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
1000+ ¥ 2.3183
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 27.21
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504