处理中...

首页  >  产品百科  >  MTNK5N3-VB

MTNK5N3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: MTNK5N3-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MTNK5N3-VB

MTNK5N3-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道30V(D-S)MOSFET晶体管,采用了先进的TrenchFET®功率MOSFET技术。适用于各种直流/直流转换器应用。其主要特点包括符合RoHS指令2002/95/EC,保证100%的Rg测试,无卤素材料。这些特性使其成为高效能和环保应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本参数:
    - VDS (最大漏源电压):30V
    - RDS(on) (导通电阻):0.030Ω(VGS=10V时),0.033Ω(VGS=4.5V时)
    - ID (最大连续漏极电流):6.5A(TC=25°C时)
    - Qg (栅极电荷):4.5nC(VGS=10V时)
    - 极限参数:
    - 绝对最大额定值:VDS:30V,VGS:±20V
    - 最大脉冲漏极电流:25A
    - 最大稳态功耗:1.7W(TC=25°C时)
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):335pF
    - 输出电容(Coss):45pF
    - 反向传输电容(Crss):17pF
    - 总栅极电荷(Qg):4.5nC(VGS=10V时)

    产品特点和优势


    - 无卤素:根据IEC 61249-2-21标准定义,本产品为无卤素材料,适用于绿色环保应用。
    - 高效率:具有较低的RDS(on),保证了高效能和低功耗。
    - 可靠性:100% Rg测试,确保每个产品的可靠性和稳定性。
    - 兼容性强:支持多种电气特性和宽泛的工作环境,适用于多种应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于DC/DC转换器,广泛用于通信设备、汽车电子等领域。
    - 使用建议:由于其较高的热阻抗特性,在高负载情况下可能需要额外的散热措施。建议在安装时注意散热设计,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各种SOT-23封装的产品,可以轻松与其他SOT-23封装的电子元器件集成。
    - 支持和维护:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和服务,包括产品规格更新和技术咨询。客户可拨打400-655-8788联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:产品发热严重。
    - 解决方法:增加散热片或使用更好的散热材料,提高散热效果。
    - 问题二:产品无法正常工作。
    - 解决方法:检查连接线是否正确,重新焊接引脚,确保良好的电气连接。
    - 问题三:栅极电荷不稳定。
    - 解决方法:更换高质量的电容或其他必要的滤波器,确保栅极电荷的稳定性。

    总结和推荐


    该N沟道30V MOSFET晶体管凭借其出色的性能和稳定的特性,在多种应用环境中表现优异。无论是从无卤素材料的角度还是高效的性能,都使其在市场上具备较强的竞争力。总体而言,这款产品非常值得推荐用于各类高要求的应用场合。如果您有任何疑问或需要更多技术支持,可以随时联系台湾VBsemi公司的技术支持团队。

MTNK5N3-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 6.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MTNK5N3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MTNK5N3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MTNK5N3-VB MTNK5N3-VB数据手册

MTNK5N3-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
库存: 400000
起订量: 80 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:80
合计: ¥ 27.94
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0