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UT60N03L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: UT60N03L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT60N03L-TA3-T-VB

UT60N03L-TA3-T-VB概述

    UT60N03L-TA3-T N-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    UT60N03L-TA3-T 是一款来自台湾 VBsemi 的 N-沟道增强型功率 MOSFET。该产品具备高效率、低损耗的特点,适用于多种工业控制、电源管理及电机驱动等应用场合。UT60N03L-TA3-T 的主要功能是通过其高电流承载能力和低导通电阻来提高电路的整体性能,尤其适合需要高效能和低能耗的应用环境。

    2. 技术参数


    - 关键指标
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10V 时为 0.007Ω,在 VGS = 4.5V 时为 0.010Ω
    - 连续漏极电流(ID):70A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):33A
    - 最大功耗(PD):71W
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):70A(Tc=25℃),50A(Tc=125℃)
    - 工作环境
    - 操作温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 存储温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 热阻率:RthJA 50°C/W(PCB安装时),RthJC 2.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:低导通电阻确保了低损耗,提高整体系统效率。
    - 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试保证了产品的稳定性。
    - 紧凑封装:TO-220AB 封装易于焊接和散热,符合工业标准。
    - 温度适应性强:宽泛的操作温度范围使得该产品可以在各种恶劣环境下稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:常用于工业控制系统、电源管理单元、马达驱动器等需要高性能和高可靠性的场合。
    - 使用建议:为了更好地发挥其性能,建议在安装时使用适当的散热器,以防止过热。同时,要根据实际工作环境调整栅极电压,确保器件在安全范围内工作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UT60N03L-TA3-T 与其他标准 N-沟道 MOSFET 设备具有良好的兼容性,可以方便地替换旧型号的器件。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南、常见问题解答和技术文档,帮助用户快速掌握产品的使用方法。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在大负载下工作时,器件出现发热现象。
    - 解决方案:检查散热措施是否足够,增加散热片或使用更好的散热材料。
    - 问题:工作时器件无法正常关断。
    - 解决方案:确认栅极驱动电压是否正确设置,确保栅极电压达到阈值电压。

    7. 总结和推荐


    UT60N03L-TA3-T MOSFET 凭借其出色的性能、稳定的工作特性和广泛的应用范围,成为市场上极具竞争力的产品之一。无论是在工业自动化还是电力转换领域,它都表现出色。强烈推荐使用这款高效、可靠的 MOSFET,以提升整个系统的性能和可靠性。
    综上所述,UT60N03L-TA3-T MOSFET 不仅在技术参数上表现优异,而且在实际应用中展现了强大的功能和优势。无论是工业控制系统还是其他高要求的领域,这款产品都能为用户提供卓越的性能和可靠性。

UT60N03L-TA3-T-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT60N03L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT60N03L-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT60N03L-TA3-T-VB UT60N03L-TA3-T-VB数据手册

UT60N03L-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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