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QM06N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: QM06N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM06N65F-VB

QM06N65F-VB概述

    Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    QM06N65F 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源和电力系统中。其主要功能是控制电流的通断,适用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及照明(如高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)和工业设备中。

    2. 技术参数


    QM06N65F 的技术规格如下:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压范围 | -30 +30 | V |
    | 漏源电压 650 | V |
    | 持续漏极电流 7 | A |
    | 冲击漏极电流 100 | A |
    | 雪崩耐受能量 90 | 130 | mJ |
    | 最大功耗 200 | W |
    | 热阻 63 | °C/W |
    | 输入电容(Ciss) 3.3 | 6.4 | pF |
    | 输出电容(Coss) 62 | 120 | pF |
    | 传输电容(Crss) 18 | 70 | pF |
    | 总栅极电荷(Qg) 2.7 | 10 | nC |

    3. 产品特点和优势


    QM06N65F 主要具有以下特点和优势:
    - 低导通电阻(RDS(on)),减少导通损耗。
    - 低输入电容(Ciss),减少栅极驱动损耗。
    - 超低栅极电荷(Qg),提升开关速度。
    - 高雪崩耐受能力,确保可靠运行。
    - 适用温度范围广(-55到+150°C),适合各种严苛环境。

    4. 应用案例和使用建议


    QM06N65F 广泛应用于高效率电源转换领域,如:
    - 服务器和电信电源供应:适合大型数据中心和电信设施,提供稳定高效的能源供应。
    - 开关模式电源供应:用于家电和消费电子产品,提高能效。
    - 照明系统:特别是在高效率、低功耗需求的应用中,如HID灯和荧光灯镇流器。
    使用建议:
    - 在设计电路时考虑MOSFET的工作温度范围,避免过热损坏。
    - 选择合适的栅极驱动电阻(Rg)以减少栅极充电时间,提高效率。

    5. 兼容性和支持


    QM06N65F 可与市场上大多数标准接口兼容,适用于多种应用场合。制造商提供了全面的技术支持和维护服务,确保客户能够顺利使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET在高温环境下表现不佳。
    解决方法:确认电路散热设计合理,必要时添加散热片或冷却装置。
    - 问题:栅极电压不稳定导致频繁开关。
    解决方法:检查栅极驱动电路设计,增加滤波电容以稳定电压。

    7. 总结和推荐


    QM06N65F 作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,在开关电源和电力系统应用中表现出色。它具备优秀的导通特性和高可靠性,特别适合需要高效节能和高精度控制的场景。强烈推荐在设计高效率电源转换电路时使用QM06N65F。

QM06N65F-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM06N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM06N65F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM06N65F-VB QM06N65F-VB数据手册

QM06N65F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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