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4854NG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: 4854NG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4854NG-VB

4854NG-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种适用于各种电力转换和控制应用的高效电子元器件。它采用先进的 TrenchFET® 技术制造,能够在高达 30V 的电压下运行。这款 MOSFET 主要应用于 OR-ing(冗余电源系统)、服务器和 DC/DC 转换等领域。这些应用需要高度可靠且能效高的组件,而这款 MOSFET 正能满足这些需求。

    2. 技术参数


    该产品的关键技术和性能参数如下:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 持续漏极电流(TA = 25°C) | ID | - | - | 100 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 300 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 94.8 | mJ |
    | 静态特性 | - | - | - | - | - |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 漏极-源极导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | - | 0.002 | - | Ω |
    | 动态特性 | - | - | - | - | - |
    | 输入电容 | Ciss | - | 5201 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 1525 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 770 | - | pF |

    3. 产品特点和优势


    这款 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 的主要特点是:
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽工艺,提高效率和可靠性。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:保证所有部件都经过严格的测试。
    - 符合 RoHS 指令 2011/65/EU:环保且无铅,符合国际标准。

    4. 应用案例和使用建议


    这款 MOSFET 可广泛应用于服务器电源管理系统中的 OR-ing 电路。例如,在一个典型的应用场景中,它用于保护系统免受故障电源的影响,确保在主电源失效时能够无缝切换到备用电源。用户在使用过程中应确保 MOSFET 的散热条件良好,以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    该 MOSFET 支持常见的 PCB 封装,如 TO-252,与大多数标准 PCB 设计兼容。厂商提供详细的使用手册和技术支持,包括详细的安装指南和常见问题解答,以帮助客户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户在使用过程中可能遇到的一些常见问题及解决方法:
    - 问题1:设备过热
    - 解决办法:检查散热装置是否正常工作,并确保 MOSFET 安装在良好的散热板上。
    - 问题2:开关频率不稳定
    - 解决办法:检查栅极驱动电路,确保驱动信号稳定。
    - 问题3:电压波动较大
    - 解决办法:确认电源输入稳定,并检查负载是否稳定。

    7. 总结和推荐


    综上所述,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高效、可靠的电子元器件,特别适用于高要求的应用场景。它的高性能和广泛的适用性使其在市场上具有很强的竞争优势。因此,我们强烈推荐该产品用于需要高性能、可靠性的应用场合。

4854NG-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 100A
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4854NG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4854NG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4854NG-VB 4854NG-VB数据手册

4854NG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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2500+ ¥ 1.8212
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