处理中...

首页  >  产品百科  >  UT4406L-S08-R-VB

UT4406L-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UT4406L-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4406L-S08-R-VB

UT4406L-S08-R-VB概述


    产品简介


    本产品为一款N沟道30V(D-S)功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于笔记本CPU核心的高侧开关。其设计优化以适应同步整流操作。该器件符合无卤素标准,采用沟槽式TrenchFET®技术制造,能够实现高效能和可靠的电力转换。

    技术参数


    主要规格
    - 最大漏源电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(ID):13A(TC = 25°C),9A(TC = 70°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):45A
    - 零栅压漏极电流(IDSS):1µA
    - 反向转移电容(Crss):73pF
    - 总栅电荷(Qg):15nC到23nC
    - 门电阻(Rg):0.36Ω到1.8Ω
    - 热阻(RthJA):39°C/W(典型值),55°C/W(最大值)
    工作环境
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C至150°C
    - 工作温度范围(TJ):-55°C至150°C
    - 最大功耗(PD):4.1W(TC = 25°C),2.5W(TC = 70°C)

    产品特点和优势


    这款N沟道30V MOSFET具有多项独特的功能和优势。首先,它采用了无卤素材料,符合环保要求。其次,该器件经过100%栅极电阻测试和100%雪崩能量测试,确保了其可靠性。此外,其优化设计特别适合高侧同步整流操作,使其在笔记本电脑和其他便携设备中的应用更加广泛。该MOSFET还具有较低的导通电阻(RDS(on)),使其在高效率转换中表现出色。

    应用案例和使用建议


    这种MOSFET通常用于笔记本电脑的电源管理电路中,特别是在高侧开关的应用场合。为了确保最佳性能,建议遵循以下使用建议:
    - 散热管理:由于其较高的热阻,建议使用良好的散热措施,如增加散热片或风扇,以提高散热效果。
    - 栅极驱动:由于其较宽的栅极电阻范围,选择合适的栅极驱动电路,可以进一步提升性能和减少开关损耗。
    - 封装和布局:根据电路板的设计,合理选择和放置该器件,避免引脚之间的寄生效应,以确保可靠性和稳定性。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准SO-8封装兼容,且易于焊接。制造商提供了详尽的技术支持,包括详细的规格书和技术文档,以及专业的客户服务热线。如有任何技术问题或需要进一步的帮助,可以通过客户服务热线进行咨询。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确地安装和焊接到PCB上?
    - 解决方案:参照推荐的最小焊盘尺寸进行焊盘设计,并确保焊接过程中的温度控制在规定范围内。

    2. 问题:当系统负载较大时,功耗增加,该如何处理?
    - 解决方案:使用外部散热装置(如散热片或风扇)来提高散热效果,以降低器件温度并保持其稳定运行。
    3. 问题:如果发现栅极驱动信号不稳定,应该如何解决?
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,并确保适当的栅极电阻值,以稳定驱动信号并减少信号噪声。

    总结和推荐


    综上所述,这款N沟道30V MOSFET以其优越的性能和广泛的适用性,在笔记本CPU核心的高侧开关应用中表现出色。其独特的功能和优势,使得它成为市场上一款极具竞争力的产品。强烈推荐此款产品给需要高性能、低损耗电力转换的设计师和工程师。

UT4406L-S08-R-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 12A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4406L-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4406L-S08-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4406L-S08-R-VB UT4406L-S08-R-VB数据手册

UT4406L-S08-R-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 29.14
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504