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2SK3031-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: 2SK3031-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3031-VB

2SK3031-VB概述


    产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 100 V MOSFET(型号2SK3031)。这款产品属于N沟道功率MOSFET,主要用于电源转换和其他高效率开关应用。它具有高工作温度(可达175°C),适用于需要高性能和高可靠性的电路设计。2SK3031广泛应用于如电源转换器、电机驱动器和逆变器等场合。

    技术参数


    以下是根据技术手册提取的产品主要技术参数:
    - 电压范围:
    - 漏源电压 (VDS): 100V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 电流特性:
    - 连续漏极电流 (ID): 13A (在25°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 40A
    - 最大雪崩能量 (EAS): 18mJ
    - 电阻特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在10V VGS下为0.074Ω,在175°C下为0.140Ω
    - 热阻:
    - 结到环境热阻 (RthJA): 15°C/W 至 18°C/W
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 0.85°C/W 至 1.1°C/W
    - 其他电气特性:
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 支持PWM

    产品特点和优势


    2SK3031具备以下显著特点和优势:
    - TrenchFET® 技术: 这种技术使MOSFET能够承受更高的电压并保持较低的导通电阻。
    - 高可靠性: 可承受高达175°C的结温,适用于高温环境下的应用。
    - 优化的PWM性能: 专为脉宽调制系统优化,可提高电源转换效率。
    - 全面的测试: 每个产品均进行100%的Rg测试,确保产品质量稳定。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK3031常用于电力转换和开关应用中,例如开关电源、直流电机驱动和逆变器。这些应用场景需要可靠的开关性能和高效率,2SK3031正能满足这些需求。
    使用建议
    - 散热设计: 由于2SK3031的工作结温较高,需特别注意散热设计,确保其在正常温度范围内工作。
    - 驱动电路设计: 为了保证高效切换,建议采用适当的栅极驱动电阻来控制驱动速度。
    - 电源设计: 由于其高的漏源电压,设计电源转换器时应考虑到可能的过压情况。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 2SK3031采用标准的TO-252封装,易于与多种PCB组装工艺兼容。
    - 支持: VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,包括数据表、应用笔记和技术咨询等,以帮助客户快速了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 在高电流条件下出现过热现象。
    - 解决方案: 改善散热设计,增加散热片或使用更好的散热材料。
    - 问题2: 开关过程中出现异常噪音。
    - 解决方案: 确保栅极驱动电阻设置正确,并优化电路布局以减少噪声干扰。

    总结和推荐


    总体而言,2SK3031是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,适用于多种电力转换和开关应用。其独特的TrenchFET®技术和优化的PWM性能使其在市场上具备显著的竞争优势。对于需要高效率、高可靠性的电力电子设计,我们强烈推荐使用2SK3031。

2SK3031-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2SK3031-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3031-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3031-VB 2SK3031-VB数据手册

2SK3031-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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