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PMN34UP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: PMN34UP-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PMN34UP-VB

PMN34UP-VB概述

    PMN34UP P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

    产品简介


    PMN34UP 是一款采用 TrenchFET® 技术的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为负载开关等应用而设计。它具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关性能,使其在各种电力电子应用中表现出色。该器件符合 IEC 61249-2-21 标准,属于无卤素材料,适用于对环保有要求的应用场景。

    技术参数


    以下是 PMN34UP 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 4.8 | 4.1 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 20 | A |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | - | - | -10 | μA |
    | 导通状态漏极电流 | ID(on) | - | - | 20 | A |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | 0.049 | - | 0.054 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 450 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 80 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 63 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 10 | - | 15 | nC |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:采用先进的 TrenchFET® 技术,确保长期稳定运行。
    - 低导通电阻:典型值为 0.049Ω(VGS=-10V)和 0.054Ω(VGS=-4.5V),有效减少功率损耗。
    - 快速开关:适合高频应用,例如开关电源和负载开关。
    - 无卤素材料:符合环保标准,适用于对环保有严格要求的应用场景。

    应用案例和使用建议


    PMN34UP 主要应用于负载开关和高频开关电源中。根据手册中的典型特性图表,可以得出以下使用建议:
    - 优化散热设计:尽管 PMN34UP 具有良好的热阻特性(RthJA=55°C/W),但建议在高电流工作时采取适当的散热措施,以确保长期稳定运行。
    - 合理布局电路板:在设计 PCB 时,应将 PMN34UP 放置在散热良好的位置,并尽量缩短引脚连接,以减少寄生电感和电阻。

    兼容性和支持


    PMN34UP 适用于各种标准电路板和系统。厂商提供详尽的技术支持,包括产品手册、设计指南和常见问题解答。客户可以通过服务热线(400-655-8788)获取更多技术支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流工作条件下,温度升高导致器件失效。
    - 解决方案:通过增加散热片或外部风扇来降低器件的工作温度,或者重新考虑电路布局,以减少发热。
    - 问题:栅极驱动信号不稳定导致开关速度变慢。
    - 解决方案:确保栅极驱动信号的质量,使用高速逻辑电平驱动 IC,减少信号延迟。

    总结和推荐


    PMN34UP 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,适用于需要低导通电阻和快速开关特性的应用场合。其优越的热性能和可靠的 TrenchFET® 技术使其成为电力电子设计的理想选择。综合考虑其技术参数和实际应用需求,强烈推荐在负载开关和其他电力管理应用中使用 PMN34UP。
    通过以上详细的分析和技术参数展示,PMN34UP 在市场上具有很强的竞争力,并能显著提升电力电子系统的整体性能。

PMN34UP-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 4.8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PMN34UP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PMN34UP-VB数据手册

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PMN34UP-VB封装设计

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