处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD50N04S3-08-VB

IPD50N04S3-08-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: IPD50N04S3-08-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD50N04S3-08-VB

IPD50N04S3-08-VB概述

    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET IPD50N04S3-08 技术手册

    产品简介


    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 是一款由台湾 VBsemi 公司生产的沟槽式功率 MOSFET(TrenchFET®),其主要功能是同步整流和电源管理。该产品适用于各种高效率的电源转换电路,特别是在需要低导通电阻和高电流处理能力的应用中表现尤为出色。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):4V
    - 最大连续漏极电流 (ID):85A(TC = 25°C),70A(TC = 70°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):250A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):320mJ
    - 最大功耗 (PD):312W(TC = 25°C)
    - 绝对最大温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 150°C
    - 最大门源泄漏电流 (IGSS):±100nA(VDS = 0V,VGS = ±20V)

    产品特点和优势


    - 高可靠性:经过100%的Rg和UIS测试。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):0.0050Ω(VGS = 10V),0.0065Ω(VGS = 4.5V)。
    - 低栅极电荷 (Qg):80nC(VDS = 20V,VGS = 10V,ID = 20A)。
    - 快速开关时间:门开启延时时间 (td(on)) 为20至30ns(VDD = 20V,RL = 1.0Ω)。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:在DC-DC转换器中作为同步整流器使用,提高效率并降低功耗。
    - 电源管理:在高频开关电源中提供高效的电源管理。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,应考虑使用散热器以确保安全运行。
    - 在选择驱动器时,注意保证足够的驱动电压和电流来满足MOSFET的需求。

    兼容性和支持


    该MOSFET适用于多种表面贴装技术(SMT),支持多种封装方式。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户支持服务,以确保用户能够顺利集成到他们的设计中。

    常见问题与解决方案


    - 问题:启动过程中门极栅极振荡。
    - 解决办法:增加门极电阻以减小振荡频率。

    - 问题:过高的温升导致热关断。
    - 解决办法:使用散热器或强制冷却系统,如风扇或液冷装置。

    总结和推荐


    总体而言,IPD50N04S3-08 是一款具有高可靠性的N-Channel MOSFET,特别适合于要求高效率和快速开关的应用场景。该产品通过低导通电阻和快速开关特性,显著提高了电源转换的效率。强烈推荐给那些对高效率和高性能有需求的设计工程师。
    请注意,由于产品的某些性能可能因具体应用场景的不同而有所变化,建议在实际应用前进行全面验证。

IPD50N04S3-08-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 85A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD50N04S3-08-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD50N04S3-08-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD50N04S3-08-VB IPD50N04S3-08-VB数据手册

IPD50N04S3-08-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.0997
100+ ¥ 1.9441
500+ ¥ 1.8663
2500+ ¥ 1.7886
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 31.49
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504