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NP80N03MDE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: NP80N03MDE-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP80N03MDE-VB

NP80N03MDE-VB概述

    NP80N03MDE N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NP80N03MDE 是一款高性能的 N-Channel 30-V MOSFET,适用于多种应用场合。这款MOSFET采用先进的TrenchFET®技术制造,具备卓越的性能和可靠性。它主要用于OR-ing(逻辑或)、服务器及DC/DC转换器等领域,广泛应用于电信、计算、汽车电子及工业控制等行业。

    技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (TC = 25 °C): 120 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 380 A
    - 连续源漏二极管电流 (TC = 25 °C): 90 A
    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 时: 0.003 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V 时: 0.004 Ω
    - 热阻参数
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 32 °C/W (最大)
    - 最大结至外壳热阻 (RthJC): 0.5 °C/W (最大)

    产品特点和优势


    NP80N03MDE 的主要特点包括:
    - 高耐压能力,保证稳定可靠运行
    - 极低的导通电阻 (RDS(on)),提高效率
    - 符合RoHS指令,绿色环保
    - 经过全面测试,确保质量和可靠性
    其在各类应用场景中的显著优势如下:
    - 高效能:低导通电阻和高脉冲电流能力使它适用于需要高效能输出的应用
    - 易用性:标准化的封装使其易于集成到现有系统中
    - 长期稳定性:经过严格的温度和环境测试,适合长时间运行

    应用案例和使用建议


    该MOSFET 在OR-ing、服务器及DC/DC转换器中的应用十分广泛。在这些应用中,其高性能和低功耗特性能够显著提升系统的整体性能。针对使用中可能遇到的问题,我们提供以下建议:
    - 温度管理:考虑到高温环境可能会影响其性能,建议使用有效的散热措施
    - 测试与验证:首次使用时应进行详细的测试,以确保最佳的工作状态
    - 兼容性:确保所有连接件都符合标准规格,避免不必要的接触电阻

    兼容性和支持


    NP80N03MDE 与多种常见的电路板和设备兼容。制造商提供了详细的技术支持文档,包括安装指南和常见问题解答。同时,技术支持团队可以协助解决任何使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的温度导致性能下降 | 使用适当的散热装置 |
    | 运行中出现不稳定 | 确保良好的电气连接 |
    | 无法达到预期电流 | 检查是否有电气故障 |

    总结和推荐


    总体来看,NP80N03MDE是一款非常出色的N-Channel 30-V MOSFET。它的低导通电阻、高耐压能力和绿色环保特性使其成为许多高端应用的理想选择。虽然价格可能稍高于普通型号,但其优越的性能和可靠性无疑为其加分不少。因此,我们强烈推荐使用NP80N03MDE,尤其是在要求高性能和可靠性的关键应用中。

NP80N03MDE-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NP80N03MDE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP80N03MDE-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP80N03MDE-VB NP80N03MDE-VB数据手册

NP80N03MDE-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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型号 价格(含增值税)
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