处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK2909-VB

2SK2909-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: 2SK2909-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2909-VB

2SK2909-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道20V(D-S)MOSFET,采用TrenchFET®技术制造。它适用于多种电子应用,特别是在直流转换器和便携式设备的负载开关中表现优异。该MOSFET具有低导通电阻,可有效降低功耗并提高系统效率。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 VDS | 20 | - | 20 | V |
    | 栅源阈值电压 VGS(th)| 0.45 | 1.0 | - | V |
    | 漏极连续电流 ID | 1.04 | 5.1 | 6.0 | A |
    | 最大功率耗散 PD | 1.25 | 2.1 | - | W |
    | 绝对最大温度范围 TJ, Tstg | -55 | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:不同电压下的典型导通电阻分别为0.028Ω(VGS=4.5V),0.042Ω(VGS=2.5V)和0.050Ω(VGS=1.8V),这使得它在电源管理中有出色的表现。
    2. 高可靠性:100%栅极电阻测试保证了其可靠性和耐用性。
    3. 符合环保标准:符合RoHS指令和无卤素标准。
    4. 快速开关特性:具备较快的开关时间,有助于提升系统的响应速度和能效。

    应用案例和使用建议


    1. 应用案例:
    - DC/DC转换器:可以有效地降低功耗并提升能效。
    - 负载开关:用于便携式设备中,可以提高设备的续航能力和稳定性。
    2. 使用建议:
    - 在选择合适的栅极驱动电压时,需要根据实际应用的功耗和响应速度要求来确定,以确保最佳的性能。
    - 考虑到MOSFET的热特性,在高功率应用中,适当增加散热措施,如使用散热片或散热风扇。

    兼容性和支持


    该产品与其他电子元器件的兼容性良好,适用各种电路板和设计。制造商提供技术支持和维修服务,以帮助客户解决问题和提升系统性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,功率耗散能力下降。
    - 解决办法:在高功率应用中,采用额外的散热措施,如增加散热片或外部冷却装置。
    2. 问题:开关延迟时间过长。
    - 解决办法:确保正确的栅极驱动电压和电路布局,优化电路设计,减少寄生电容的影响。
    3. 问题:漏电流过大。
    - 解决办法:检查电路设计是否存在缺陷或过度加热,重新评估并调整相关参数。

    总结和推荐


    该N沟道20V MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性、快速开关特性和符合环保标准等特点,在DC/DC转换器和负载开关应用中表现出色。结合适当的散热措施和电路设计,它能够显著提升系统的整体性能和能效。因此,强烈推荐在相关应用中使用这款产品。

2SK2909-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 6A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 8V
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2909-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2909-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2909-VB 2SK2909-VB数据手册

2SK2909-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
库存: 400000
起订量: 115 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:115
合计: ¥ 26.77
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336