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UF740L-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: UF740L-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF740L-TF3-T-VB

UF740L-TF3-T-VB概述

    UF740L-TF3-T N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UF740L-TF3-T 是一款高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高功率应用。它具有低电阻、高效率和简单的栅极驱动电路,使其成为消费电子、服务器、电信电源供应、工业焊接和感应加热、电机驱动及电池充电器等领域的理想选择。

    技术参数


    - 电压额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 550 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V (AC)
    - 额定脉冲漏电流 (IDM): 56 A
    - 最大耗散功率 (PD): 60 W
    - 电流和电阻:
    - 持续漏极电流 (TJ = 150 °C): 11 A
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 0.26 Ω (VGS = 10 V)
    - 有效输出电容 (Co(er)): 131 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 150 nC
    - 热阻:
    - 结点到外壳热阻 (RthJC): 0.45 °C/W

    产品特点和优势


    - 最优设计: UF740L-TF3-T 具有低面积特定导通电阻、低输入电容 (Ciss) 和减少的电容开关损耗,这使得其在快速开关和高体二极管耐用性方面表现出色。
    - 高效操作: 低成本、简单的栅极驱动电路和低品质因数 (FOM) 及快速开关是其重要的特点。
    - 高可靠性: 在重复测试条件下,脉冲浪涌能量额定值 (UIS) 达到 281 mJ,表明其具备出色的抗雪崩能力。

    应用案例和使用建议


    UF740L-TF3-T 可广泛应用于消费电子、服务器和电信电源供应、工业焊接和感应加热等领域。例如,在电视和显示器中用于电源转换,在服务器和电信系统中用于开关模式电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)。
    使用建议:
    - 在高频应用中,可以利用其快速开关特性来提高效率。
    - 确保电路板布局设计具有低寄生电感和低泄漏电感,以增强性能。

    兼容性和支持


    UF740L-TF3-T 采用 TO-220 FULLPAK 封装,与多种标准接口兼容。VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利进行产品集成和故障排除。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高温下漏极电流不稳定。
    - 解决方案: 确保散热良好,避免超过最大额定温度 (TJ = 150 °C)。
    - 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 减少栅极电阻 (Rg),以加快开关速度。

    总结和推荐


    UF740L-TF3-T 在诸多关键指标上表现出色,特别是其低导通电阻、高效的栅极驱动能力和快速开关特性。这些特点使其成为工业和商业应用的理想选择。总体来说,强烈推荐使用 UF740L-TF3-T MOSFET,特别是在需要高可靠性和高效率的应用中。

UF740L-TF3-T-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 550V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF740L-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF740L-TF3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF740L-TF3-T-VB UF740L-TF3-T-VB数据手册

UF740L-TF3-T-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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起订量: 10 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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