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K35S04K3L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: K35S04K3L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K35S04K3L-VB

K35S04K3L-VB概述

    N-Channel 4-V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    N-Channel 4-V MOSFET 是一种高性能的低电压功率场效应晶体管(MOSFET),具有卓越的开关特性和极低的导通电阻。该产品采用先进的沟槽式制造工艺(TrenchFET®),特别适用于同步整流及电源供应系统。其紧凑的封装设计(如 TO-252)使其广泛应用于各类小型化电子产品中。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 电压参数:
    - 漏源电压 (VDS):4 V
    - 源漏二极管连续电流 (IS):110 A (TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):320 mJ
    - 最大功耗 (PD):312 W (TC=25°C)
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 (ID):85 A (TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):250 A
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.0050 Ω @ VGS = 10 V, ID = 30 A
    - 输入电容 (Ciss):2380 pF @ VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
    - 输出电容 (Coss):550 pF
    - 门极电荷 (Qg):80 nC @ VDS = 20 V, VGS = 10 V, ID = 20 A
    - 工作温度范围:
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    N-Channel 4-V MOSFET 的独特之处在于其高效率和出色的热性能。得益于 TrenchFET® 技术,该器件拥有极低的导通电阻和快速的开关速度,这使得它在高频应用中表现出色。此外,其绝对最大额定值和典型特性也确保了产品的长期可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    此款 MOSFET 主要应用于同步整流和各种类型的电源系统,如开关电源、逆变器等。为了最大化其性能,在设计电路时应注意以下几点:
    - 确保散热设计合理,特别是在高功率应用中。
    - 避免超过绝对最大额定值以防止损坏。
    - 在高频应用中,注意电容和电感的选型以减少杂散效应。

    兼容性和支持


    该 MOSFET 采用标准的 TO-252 封装,易于与其他常见的电子元器件集成。制造商提供详尽的技术支持文档,并通过电话和邮件为客户提供咨询和技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方法:
    - 问题:MOSFET 发热严重。
    - 解决方案: 检查电路中的散热设计,确保 MOSFET 安装在合适的散热器上。

    - 问题:MOSFET 在高频率下表现不佳。
    - 解决方案: 检查电路布局,减少杂散电感,选择合适的门极驱动电阻。

    - 问题:MOSFET 在低电压下无法正常工作。
    - 解决方案: 确认输入电压和栅极电压设置正确,并检查电路连接是否正确。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 4-V MOSFET 是一款性能优异的低压功率 MOSFET,特别适合用于需要高效能和高可靠性的小型化电子产品中。考虑到其出色的电气特性、紧凑的封装和广泛的应用场景,强烈推荐在相关的电力电子系统中使用此款产品。

K35S04K3L-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 85A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K35S04K3L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K35S04K3L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K35S04K3L-VB K35S04K3L-VB数据手册

K35S04K3L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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