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LU3717-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.76Vth(V) 封装:TO251\n该产品是单N沟道MOSFET,具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。
供应商型号: LU3717-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LU3717-VB

LU3717-VB概述

    LU3717 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    LU3717是一款由VBsemi公司设计生产的N沟道30V MOSFET。这种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)具有非常低的导通电阻(RDS(on)),并广泛应用于多种场合,如电源管理系统中的OR-ing应用、服务器及直流-直流转换器等领域。这类MOSFET因其高效能和高可靠性而受到市场的青睐。

    技术参数


    LU3717的主要技术规格如下表所示:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 30 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th)| 1.0 | 2.5 V |
    | 导通电阻 | RDS(on)| 0.0035 0.0040 | Ω |
    | 栅极电荷 | Qg | 81.5 | 123 nC |
    | 前向转移电导 | gfs | 160 S |
    | 持续漏电流 | ID | 0 | 100 A |
    | 连续栅源电压 | VGS | -20 +20 | V |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 175 | °C |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的TrenchFET®技术,使得LU3717具有超低的导通电阻,从而提高效率和降低功耗。
    - 可靠性测试:100%通过Rg和UIS测试,确保产品在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 符合RoHS标准:完全符合欧盟RoHS指令,适用于环保要求高的应用场合。
    - 宽工作温度范围:-55°C到175°C的宽工作温度范围,使其适用于多种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    LU3717被广泛用于各种电力管理应用,如OR-ing电路、服务器电源系统及直流-直流转换器。这些应用都要求高效率、低损耗以及高可靠性。
    使用建议:
    - 在需要高电流的场合,可以考虑并联多个LU3717以获得更高的电流输出。
    - 使用时应注意散热,特别是在连续工作条件下,以避免因过热而导致的性能下降。
    - 需要特别注意栅极驱动的设计,以确保合适的栅极电荷和开关速度。

    兼容性和支持


    LU3717具有良好的兼容性,能够与其他常见的电源管理和控制系统无缝对接。此外,VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南和故障排除手册,以帮助用户充分利用产品的所有功能。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 确保适当的栅极驱动设计,调整Rg阻值。 |
    | 温度过高 | 增加散热片或外部冷却措施,确保良好散热。|
    | 持续电流超出额定值 | 降低工作电流或增加并联数量。 |

    总结和推荐


    LU3717 N-Channel 30-V MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的适用性,是一款非常适合于电力管理系统的理想选择。它不仅具有出色的效率和可靠性,而且还能适应多种环境条件,非常值得推荐给需要高性能功率管理解决方案的应用领域。

LU3717-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.76V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 100A
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

LU3717-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LU3717-VB数据手册

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LU3717-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
4000+ ¥ 1.4077
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