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IXTP1R6N50P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IXTP1R6N50P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP1R6N50P-VB

IXTP1R6N50P-VB概述


    产品简介


    产品类型:IXTP1R6N50P-VB 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于各种电力转换应用。
    主要功能:该 MOSFET 具有低栅极电荷(Qg)的特点,使其驱动要求简单;改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐压能力;全面标定的电容和雪崩电压电流。
    应用领域:广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域,适用于需要高效、可靠电力转换的场合。

    技术参数


    - VDS (漏源电压):650V
    - RDS(on) (导通电阻):在 VGS=10V 时为 4Ω
    - Qg (最大总栅极电荷):11nC
    - Qgs (栅源电荷):2.3nC
    - Qgd (栅漏电荷):5.2nC
    - IGSS (栅源泄漏电流):在 VGS=±30V 时为 ±100nA
    - ISD (持续漏极电流):在 TC=100°C 时为 1.28A
    - EAS (单脉冲雪崩能量):165mJ
    - TRR (反向恢复时间):在 TJ=25°C 时为 180-230ns
    - QRR (反向恢复电荷):2.1-3.2μC
    - RTHJA (热阻抗):65°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:简化驱动要求,降低了功耗。
    - 高可靠性:改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐压能力。
    - 全面标定的电容:有助于精确计算和预测器件性能。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令,减少了对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源中作为功率开关器件,提高效率和可靠性。
    - 电机驱动系统中作为驱动器,确保稳定的电流输出。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动电阻时,应考虑器件的栅极电荷特性,以避免过高的驱动损耗。
    - 确保散热设计合理,特别是在高电流运行条件下,避免热失控现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于广泛的电力转换设备和应用。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和客户支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:驱动电路设计不当导致驱动损耗高。
    解决方案:使用合适的栅极电阻和驱动电路,参考制造商提供的设计指南进行调整。
    2. 问题:过高的工作温度导致器件失效。
    解决方案:确保良好的散热设计,必要时增加外部散热装置,如散热片或散热风扇。
    3. 问题:器件在雪崩状态下失效。
    解决方案:选择具有足够雪崩耐受性的器件,并确保电路设计能有效保护器件免受瞬态高压冲击。

    总结和推荐


    总结:
    IXTP1R6N50P-VB N 沟道 MOSFET 在导通电阻、栅极电荷、雪崩耐受性等方面表现出色,能够满足多种电力转换应用的需求。该器件的设计注重可靠性,且符合环保标准,适合在苛刻的工作环境下长期稳定运行。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在需要高效、可靠电力转换的场合使用 IXTP1R6N50P-VB。对于需要精确控制和严格散热管理的系统,该器件将是理想的选择。

IXTP1R6N50P-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 2A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP1R6N50P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP1R6N50P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTP1R6N50P-VB IXTP1R6N50P-VB数据手册

IXTP1R6N50P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 2.649
30+ ¥ 2.3642
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1000+ ¥ 1.7053
3000+ ¥ 1.6556
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