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2SK1157-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: 2SK1157-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1157-VB

2SK1157-VB概述

    2SK1157-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    2SK1157-VB 是一款 N-通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电子设备中的开关应用。这款 MOSFET 主要用于控制电流的流动,适用于直流到交流转换、电机驱动和电源管理等领域。其显著特点是低门极电荷(Lower Gate Charge Qg),这有助于简化驱动要求,提高系统的整体效率。

    技术参数


    以下是2SK1157-VB的一些关键技术和性能参数:
    - 额定电压(VDS): 500V
    - 门极-源极电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID): 13A (Tc=25°C),8.1A (Tc=100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 50A
    - 静态门极-源极阈值电压(VGS(th)): 2.0 - 4.0V
    - 门极-源极泄漏电流(IGSS): 100nA (VGS = ±20V)
    - 静态漏极-源极导通电阻(RDS(on)): 0.660Ω (VGS = 10V, ID = 8.4A)
    - 总门极电荷(Qg): 81nC
    - 有效输出电容(Coss eff.): 160pF
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 560mJ
    - 最高工作结温和存储温度(TJ, Tstg): -55至+150°C

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:降低门极电荷使得驱动更加简单,进一步提高了能效。
    2. 增强的鲁棒性:改善的门极、雪崩和动态dV/dt耐受性,使其更加坚固耐用。
    3. 全面的电容和雪崩电压特征化:提供准确的数据,确保系统稳定运行。
    4. 符合RoHS标准:环保合规,适合全球范围内的广泛应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:这款MOSFET常用于需要高电压和高电流的应用中,例如电力变换器、电机控制器和电池充电电路。
    - 使用建议:为了最大限度地发挥其性能,应在设计中考虑到热管理和散热,确保其工作在安全温度范围内。此外,由于其低门极电荷特性,可选用较低的驱动电压以减少功耗。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准驱动器兼容,并且厂商提供了详尽的技术文档和应用指南。对于客户在使用过程中遇到的问题,厂商还提供了在线技术支持和服务热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确定最佳的驱动电压?
    - 解答:根据手册中的规范,应选择一个既能保证MOSFET正常工作的最低驱动电压。具体数值取决于RDS(on)的要求和系统能承受的功耗。

    - 问题二:在过载条件下如何保护MOSFET?
    - 解答:可以通过外部电路设计,如限流电阻和快速断路器,来防止过大的电流冲击。手册中的雪崩特性也提供了一些有用的参考信息。

    总结和推荐


    2SK1157-VB是一款高性能的N-通道MOSFET,具有诸多优点,特别适用于高压高电流的应用场合。其低门极电荷和增强的鲁棒性使其在众多电子设备中具有广泛的适用性。通过合理的电路设计和散热管理,可以充分发挥其潜力。总体而言,我们强烈推荐此产品给需要高效率、高可靠性的工程应用。

2SK1157-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 -
Id-连续漏极电流 13A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK1157-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1157-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1157-VB 2SK1157-VB数据手册

2SK1157-VB封装设计

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