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K3505-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K3505-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3505-01MR-VB

K3505-01MR-VB概述

    K3505-01MR-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K3505-01MR-VB 是一款N沟道550V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能及可靠操作而设计。这种器件在多种应用场景中表现优异,特别是在电源管理和工业控制领域。
    - 产品类型:N沟道功率MOSFET
    - 主要功能:低导通电阻、高效率、快速开关、强反向体二极管
    - 应用领域:消费电子(如LCD或等离子电视)、服务器和电信电源供应、工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动)、电池充电器和开关电源(SMPS)

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 最大耐压 (VDS) | 550 V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.26 Ω @ 10 V, 25 °C |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 150 nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 12 nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 25 nC |
    | 最大连续漏极电流 (ID) | 18 A @ 25 °C, 11 A @ 100 °C|
    | 脉冲最大漏极电流 (IDM)| 56 A (10 µs) |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 281 mJ |
    | 最大功率耗散 (PD) | 60 W |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为0.26 Ω @ 10 V, 25 °C,确保了高效的能量传输。
    - 低输入电容:Ciss 为3094 pF,有助于减少栅极充电损失,提升开关速度。
    - 快速开关:总栅极电荷 (Qg) 仅为150 nC,显著加快了开关时间,适用于高频应用。
    - 高可靠性: avalanche energy rated (UIS),具备出色的抗浪涌能力和坚固的体二极管。
    - 简易驱动电路:不需要复杂的栅极驱动电路,简化了整体设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 消费电子产品:如显示器(LCD或等离子电视),其高效能使其成为显示器背光逆变器的理想选择。
    - 工业应用:如感应加热、电机驱动等,在这些应用中,其坚固的反向体二极管能够承受瞬态高压。
    - 电源管理:在服务器和电信电源中,其高效率和快速开关特性可降低功耗并提高转换效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,考虑适当的散热措施以维持性能。
    - 在高压应用中,注意脉冲电流的限制以防止损坏。
    - 在设计驱动电路时,合理分配栅极电阻以平衡开关速度和栅极损耗。

    5. 兼容性和支持


    K3505-01MR-VB 与多数标准栅极驱动器兼容。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括样品测试、原型开发和批量生产阶段的技术咨询。客户可以联系台湾VBsemi公司的销售和技术支持团队,获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 降低栅极电阻值,增加栅极电荷。 |
    | 高温环境下性能下降 | 确保良好的散热设计,增加热阻。 |
    | 漏电流异常 | 检查封装是否有损坏或焊点不良。 |
    | 开关噪声大 | 添加适当的滤波电路或调整栅极电阻值。 |

    7. 总结和推荐


    K3505-01MR-VB N-Channel 550V Power MOSFET凭借其高效率、低损耗、快速开关等优势,是一款非常值得推荐的产品。它不仅在各种工业和消费电子产品中表现出色,还拥有广泛的应用范围和良好的市场口碑。无论是研发还是生产阶段,这款MOSFET都能满足大多数应用需求,具有很高的性价比。因此,强烈推荐在需要高效能和可靠性应用中采用此款器件。

K3505-01MR-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3505-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3505-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3505-01MR-VB K3505-01MR-VB数据手册

K3505-01MR-VB封装设计

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