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K1288-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K1288-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1288-VB

K1288-VB概述

    K1288-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1288-VB 是一款 N-Channel 100-V (D-S) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有隔离封装,高电压隔离等级,低热阻以及出色的动态性能。这款 MOSFET 主要应用于开关电源、电机驱动、照明系统以及其他需要高效功率控制的应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 100 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | - | 3.0 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | 250 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.086 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1700 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 560 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 120 | - | pF |
    | 热阻 (结至外壳) | RthJC | - | 3.1 | - | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    K1288-VB 的主要特点包括:
    - 隔离封装:提高安全性和可靠性。
    - 高电压隔离:最高可达 2.5 kVRMS,适用于高压应用。
    - 低热阻:提升散热效率,延长使用寿命。
    - 动态性能优异:低 dV/dt 和快速开关时间。
    - 耐高温:工作温度范围为 -55°C 至 +175°C。
    - 无铅化:符合 RoHS 标准。
    这些特性使其成为高性能应用的理想选择,如工业自动化、汽车电子等领域。

    4. 应用案例和使用建议


    K1288-VB 广泛应用于开关电源、电机驱动等场景。为了确保最佳性能,建议在设计电路时注意以下几点:
    - 确保良好的散热设计以避免过热。
    - 使用低漏感布局以减少杂散电感的影响。
    - 考虑外部电路的设计以优化开关时间和降低功耗。

    5. 兼容性和支持


    K1288-VB 与其他标准 MOSFET 相互兼容,易于集成到现有系统中。厂商提供全面的技术支持,包括详细的文档、样品和开发工具,帮助客户快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问:K1288-VB 的最大工作温度是多少?
    - 答:K1288-VB 的最大工作温度为 175°C。

    2. 问:如何处理 K1288-VB 的反向恢复电流问题?
    - 答:通过合理选择外围电路元件(如肖特基二极管)可以有效减小反向恢复电流对系统的干扰。

    7. 总结和推荐


    K1288-VB 是一款高性能、可靠且多功能的 N-Channel 100-V MOSFET。它具备高电压隔离能力、低热阻和优异的动态性能,非常适合用于高压、高可靠性要求的应用。强烈推荐在需要高性能功率控制的场景中使用。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

K1288-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1288-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1288-VB数据手册

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K1288-VB封装设计

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