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TSM2N7002KDCU6 RF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,2400mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: 14M-TSM2N7002KDCU6 RF-VB SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSM2N7002KDCU6 RF-VB

TSM2N7002KDCU6 RF-VB概述


    产品简介


    产品类型与功能
    本产品为TSM2N7002KDCU6 RF,是一款高性能的双通道N沟道60V MOSFET。它主要用于驱动继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示屏、存储器、晶体管等设备,适用于直接逻辑电平接口(如TTL/CMOS)和电池操作的系统。该产品采用了TrenchFET®技术,确保低漏电流和快速开关速度,非常适合高可靠性应用。
    应用领域
    - 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
    - 驱动:继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示屏、存储器、晶体管等
    - 电池操作的系统
    - 固态继电器

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏极电流(TJ = 150°C):TA = 25°C时350mA,TA = 100°C时230mA
    - 脉冲漏极电流(IDM):900mA
    - 功率参数:
    - 功率耗散(PD):TA = 25°C时350mW,TA = 100°C时140mW
    - 最大结到环境热阻(RthJA):350°C/W
    - 温度参数:
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C至150°C
    - 性能参数:
    - 低导通电阻(RDS(on)):1.8Ω(VGS = 10V,ID = 500mA)
    - 低门限电压(VGS(th)):1V至2.5V
    - 低输入电容(Ciss):30pF
    - 快速开关速度:25ns
    - 高速电路适用性

    产品特点和优势


    - 环保设计:无卤素,符合IEC 61249-2-21定义
    - 低导通电阻:1.8Ω
    - 低阈值电压:典型值2V
    - 低输入电容:30pF
    - 快速开关速度:25ns
    - 低输入和输出漏电流
    - ESD保护:1200V
    - RoHS合规性:符合RoHS Directive 2002/95/EC

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在直流电机控制系统中作为开关器件
    - 在各种工业自动化设备中作为驱动器
    - 在需要快速响应和高精度控制的环境中作为逻辑电平接口
    使用建议
    - 确保电路中的其他元器件也具有较高的可靠性和稳定性,以避免因某个元件失效而导致整个系统的故障。
    - 在高温环境下使用时,应特别注意散热问题,确保不会超过最大结温。
    - 对于长时间连续工作的应用场景,建议使用合适的散热措施,如加装散热片或风扇,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 该产品采用SOT-363和SC-70封装,适用于大多数常见的PCB板设计。
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和电话咨询。
    - 详细的产品规格和技术文档可以在官方网站下载。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在使用过程中发热严重。
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇以帮助散热。确保电路设计中没有过多的功耗。
    2. 问题:设备无法正常开关。
    - 解决方法:检查驱动信号是否符合要求,确认栅极驱动电压足够高,确保驱动电路正确无误。
    3. 问题:设备在高温环境下运行不稳定。
    - 解决方法:使用合适的散热措施,如散热片或风扇,以确保设备在高温环境下的稳定性。

    总结和推荐


    综合评估
    TSM2N7002KDCU6 RF MOSFET具有出色的低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,适合广泛的应用领域。它采用了无卤素材料并符合RoHS标准,因此对环境保护友好。
    推荐结论
    总体而言,TSM2N7002KDCU6 RF MOSFET是一款高性能且可靠的产品,适合应用于多种电子控制系统。我们强烈推荐使用该产品,特别是对于需要高可靠性和高速度的场合。

TSM2N7002KDCU6 RF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2000mΩ@10V,2400mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 300mA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TSM2N7002KDCU6 RF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSM2N7002KDCU6 RF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TSM2N7002KDCU6 RF-VB TSM2N7002KDCU6 RF-VB数据手册

TSM2N7002KDCU6 RF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4214
50+ ¥ 0.3966
150+ ¥ 0.354
500+ ¥ 0.2653
3000+ ¥ 0.2554
9000+ ¥ 0.2479
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