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FB4510G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: FB4510G-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FB4510G-VB

FB4510G-VB概述

    FB4510G-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FB4510G-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理、电动车辆控制系统和工业自动化等领域。该MOSFET具有高耐温性能,能够承受高达175°C的结温,使其适用于恶劣的工作环境。FB4510G-VB 符合RoHS标准,是环保且高性能的选择。

    技术参数


    - 电压规格:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100V
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2V 至 4V
    - 零门电压漏电流 \( I{DSS} \): 1 μA @ \( V{DS} = 100 \text{V}, V{GS} = 0 \text{V} \)
    - 电流规格:
    - 持续漏电流 \( ID \):
    - \( TJ = 25^\circ\text{C} \): 100A
    - \( TJ = 150^\circ\text{C} \): 75A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 75A
    - 雪崩能量 \( E{AS} \): 280mJ @ \( TC = 25^\circ\text{C} \)
    - 电阻规格:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 \text{V} \): 0.009Ω @ \( TJ = 25^\circ\text{C} \)
    - \( V{GS} = 4.5 \text{V} \): 0.020Ω @ \( TJ = 25^\circ\text{C} \)
    - 热阻抗:
    - 结至环境热阻 \( R{thJA} \): 40°C/W @ PCB安装 (TO-263)
    - 结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.6°C/W

    产品特点和优势


    FB4510G-VB 的关键优势包括:
    - 高可靠性: 175°C的最大结温使得该MOSFET能够在极端环境中可靠运行。
    - 低导通电阻: 在不同温度下保持较低的导通电阻,保证高效的电力转换。
    - 出色的雪崩性能: 高额定雪崩能量使其在瞬态电压冲击时更加稳定。
    - 环保设计: 符合RoHS标准,无卤素,满足绿色制造要求。

    应用案例和使用建议


    FB4510G-VB 主要应用于需要高可靠性和高功率处理能力的场合,如电动汽车、充电站、光伏逆变器和电机驱动等。以下是一些使用建议:
    - 热管理: 确保散热器良好,以避免高温导致的性能下降。
    - 电路设计: 注意布局设计,减少寄生电感和电容的影响,提高系统稳定性。
    - 应用测试: 在典型工作环境下进行充分测试,确保系统安全可靠。

    兼容性和支持


    FB4510G-VB 与大多数常见的TO-220封装的组件兼容,可以方便地集成到现有电路中。VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决问题并确保最佳性能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的工作温度导致性能下降 | 优化散热设计,增加散热片或散热器。 |
    | 雪崩现象发生时损坏 | 使用外部钳位二极管以保护MOSFET。 |
    | 低效的能量转换 | 确保正确的驱动电压和电流,避免过大的导通电阻损失。 |

    总结和推荐


    FB4510G-VB N-Channel MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,成为许多电力电子应用的理想选择。尤其适用于要求高温工作环境的场合,该产品在电力转换和驱动控制方面表现出色。强烈推荐给需要高效能、高可靠性的用户。
    如有更多问题或需要技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

FB4510G-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FB4510G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FB4510G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FB4510G-VB FB4510G-VB数据手册

FB4510G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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