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TSM2N60CH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: TSM2N60CH-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSM2N60CH-VB

TSM2N60CH-VB概述


    产品简介


    TSM2N60CH 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电力转换和控制应用。它具有低栅极电荷(Qg)特性,使其驱动要求简单,同时具备高可靠性,包括增强型栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受能力。这款 MOSFET 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,广泛应用于工业自动化、电源管理、电动汽车等领域。

    技术参数


    - VDS(最大漏源电压):650 V
    - RDS(on)(导通电阻):VGS = 10 V 时,典型值为 5 Ω
    - Qg(总栅极电荷):最大值为 11 nC
    - Qgs(栅源电荷):2.3 nC
    - Qgd(栅漏电荷):5.2 nC
    - 配置:单个
    - 持续漏电流(VGS = 10 V,TC = 25 °C):1.28 A
    - 重复雪崩能量(EAS):165 mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25 °C):45 W
    - 热阻:最大结到外壳(漏)热阻(RthJC):2.1 °C/W
    - 工作温度范围:存储温度(Tstg)和工作温度(TJ):-55 °C 到 +150 °C
    - 热熔接建议:峰值温度 300 °C(持续时间 10 秒)

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:使得驱动电路更加简单,减少外部驱动电路的设计复杂度。
    - 增强的栅极耐压性:提高在恶劣环境下的可靠性和耐用性。
    - 全面测试和认证:完全表征电容和雪崩电压及电流,确保高可靠性。
    - 环保设计:符合 RoHS 和无卤素标准,适用于需要环保设计的产品。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    TSM2N60CH 广泛应用于工业控制、电机驱动、开关电源、通信设备、太阳能逆变器等领域。由于其高电压能力和低导通电阻,非常适合需要高效能电力转换的应用场合。
    使用建议
    1. 温度管理:确保散热系统有效,特别是在高功率应用中,避免因过热导致的性能下降或损坏。
    2. 驱动电路设计:采用低杂散电感的 PCB 布局和接地平面,以减少电磁干扰。
    3. 负载保护:设置适当的保护措施,如软启动和过流保护,以防止瞬态现象对 MOSFET 的损害。

    兼容性和支持


    TSM2N60CH 具有广泛的兼容性,可以轻松集成到现有的电路设计中。制造商提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南和故障排除手册。如有疑问,可以通过服务热线 400-655-8788 联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装 TSM2N60CH?
    - 解决方案:遵循推荐的焊接工艺和扭矩规格进行安装,确保良好的电气接触和热传导。

    2. 问题:MOSFET 过热怎么办?
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,必要时添加外部散热片或风扇。

    总结和推荐


    TSM2N60CH 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,适合用于多种高电压和高功率应用。其低栅极电荷和高可靠性的特点使其在市场上具有很高的竞争力。对于需要高效电力转换和控制的系统,TSM2N60CH 是一个非常值得考虑的选择。强烈推荐在您的设计中使用 TSM2N60CH。

TSM2N60CH-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TSM2N60CH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSM2N60CH-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TSM2N60CH-VB TSM2N60CH-VB数据手册

TSM2N60CH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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