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8N50H-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 8N50H-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8N50H-VB

8N50H-VB概述

    8N50H-VB 电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    8N50H-VB 是一款 N 沟道 650V(D-S)功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种电子元器件因其低导通电阻(Ron)和低门极电荷(Qg)等特点,在众多领域得到了广泛应用。8N50H-VB 主要应用于电源管理、照明系统以及工业控制等领域,特别适合于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)以及高亮度放电灯(HID)和荧光灯照明系统。

    2. 技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压(VDS)为 650V。
    - 导通电阻:在 25°C 时,漏源导通电阻(RDS(on))在 VGS=10V 时为最小值。
    - 门极电荷:最大总门极电荷(Qg)为 43nC;门极-源极电荷(Qgs)为 5nC;门极-漏极电荷(Qgd)为 22nC。
    - 工作温度范围:工作结温和存储温度范围为 -55°C 至 +150°C。
    - 散热能力:绝对最大值中,结到环境的最大热阻抗(RthJA)为 60°C/W;结到外壳(漏极)的最大热阻抗(RthJC)为 0.8°C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 低开关损耗和导通损耗:通过超低的门极电荷(Qg)和输出电容(Coss),8N50H-VB 能有效降低开关损耗。
    - 高可靠性:重复脉冲电流耐受能力强,单脉冲雪崩能量(EAS)为 mJ 级别,保证了在高压、高电流条件下的稳定运行。
    - 高效能:低输入电容(Ciss)减少了系统的整体能耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:用于高压电源转换器中,提高效率,减少热量产生。
    - 工业控制系统:适用于各种高压电机驱动及逆变器系统,如焊接设备。
    - 照明系统:特别适用于 HID 和荧光灯的照明系统,实现更高的能源效率。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计中有足够的散热空间,以避免过热。
    - 选择合适的外部电路参数(如门极电阻 Rg),以优化开关时间。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:8N50H-VB 可与其他标准 MOSFET 引脚兼容的电子元器件共同使用,确保电路设计的灵活性。
    - 技术支持:厂商提供详细的安装指南和技术文档支持,帮助用户正确安装和使用产品。客户服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:工作温度超出规定范围。
    - 解决方案:检查散热系统的设计是否合理,必要时增加外部散热装置。
    - 问题:输出电流波动大。
    - 解决方案:检查负载是否稳定,确认门极驱动信号正常。

    7. 总结和推荐


    总体而言,8N50H-VB 以其优秀的性能、高效的转换能力和出色的稳定性,在高压电力转换领域表现出色。对于需要高压、高效率的应用场景,我们强烈推荐使用此款 MOSFET。此外,厂商提供的详细技术支持也进一步提升了其市场竞争力。
    通过上述介绍,8N50H-VB 的多功能性和高性能使其成为电源管理和工业控制领域中的首选产品。

8N50H-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

8N50H-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8N50H-VB数据手册

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8N50H-VB封装设计

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