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IRFS650A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F 由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: IRFS650A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS650A-VB

IRFS650A-VB概述

    电子元器件产品技术手册:IRFS650A-VB N-Channel MOSFET

    产品简介


    IRFS650A-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由VBsemi公司生产。它具备低导通电阻(RDS(on))、快速开关能力和高耐压(VDS)等特性,适用于各种高功率密度的应用场景。IRFS650A-VB 符合RoHS指令要求,且不含卤素,符合IEC 61249-2-21标准定义,是一款环保型电子元件。

    技术参数


    - 主要技术规格:
    - 耐压(VDS):200 V
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10 V时为0.058 Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为64 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):12 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):30 nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏极-源极电压(VDS):200 V
    - 漏极电流(ID):14 A(在TC = 100 °C时)
    - 最大功率耗散(PD):42 W(在TA = 25 °C时)
    - 最大结温(TJ):150 °C
    - 动态参数:
    - 反向恢复峰值电压(dV/dt):5.0 V/ns
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):580 mJ
    - 复用雪崩能量(EAR):13 mJ

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):0.058 Ω,在高温条件下仍保持较低阻值,有助于降低电路功耗。
    2. 快速开关能力:具备优异的开关特性,可以减少开关损耗,提高效率。
    3. 高温工作能力:能够在高达150 °C的工作温度下稳定运行,适合恶劣工作环境。
    4. 全雪崩等级:通过了严格的雪崩测试,保证在极端条件下的可靠性。
    5. 表面贴装和通孔设计:适用于多种安装方式,增加了设计灵活性。
    6. RoHS合规:不含卤素,符合RoHS环保要求,适应绿色电子市场。

    应用案例和使用建议


    IRFS650A-VB MOSFET 广泛应用于多种电源转换和电机控制电路中,如开关电源、逆变器、DC-DC转换器等。以下是几种常见的应用场景和使用建议:
    1. 直流-直流转换器:在高效率需求的应用中,IRFS650A-VB的低导通电阻和快速开关速度可以显著降低损耗。
    2. 逆变器:适用于电动汽车和太阳能发电系统中的逆变器,其高温工作能力确保在恶劣环境下的稳定性。
    3. 电源管理:在需要高效率和高功率密度的场合,如服务器和数据中心的电源管理模块。
    使用建议:
    - 在高频应用中,建议使用低寄生电感和低漏电电感的设计,以确保更好的开关性能。
    - 确保良好的热管理和散热设计,以避免过热导致的性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    IRFS650A-VB MOSFET 可与大多数标准PCB焊接工艺兼容,且厂家提供了详尽的技术支持和维护文档。如果您在使用过程中遇到任何问题,可随时联系VBsemi的服务热线(400-655-8788)获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压过高导致击穿
    - 解决方案:确保在使用过程中,VGS不超过±20 V。

    2. 问题:温度过高导致失效
    - 解决方案:提供良好的散热设计,并确保工作环境温度不超过规定的最高结温(150 °C)。

    总结和推荐


    IRFS650A-VB N-Channel MOSFET 具备低导通电阻、快速开关和高耐温能力等特点,适用于高功率密度应用。在实际应用中,它的高性能表现使得它成为电力电子领域的理想选择。如果您的应用对效率和可靠性有较高要求,我们强烈推荐使用这款产品。

IRFS650A-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFS650A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS650A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS650A-VB IRFS650A-VB数据手册

IRFS650A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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