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K3794-Z-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: K3794-Z-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3794-Z-E1-AZ-VB

K3794-Z-E1-AZ-VB概述

    产品概述:VBsemi K3794-Z-E1-AZ N-Channel MOSFET

    产品简介


    VBsemi K3794-Z-E1-AZ 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N-Channel 功率 MOSFET。它具有优异的电气性能和高可靠性,适用于多种电力电子应用,如开关电源、电机驱动和逆变器等。其主要特点包括极低的导通电阻(rDS(on))和宽广的工作温度范围。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大耐压(VDS) | 60 | V |
    | 导通电阻(rDS(on)) | 0.025 (VGS=10 V) | Ω |
    | 持续漏电流(ID) | 23 | A |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 to 175 | °C |
    | 最大功率耗散(PD) | 100 | W |
    | 热阻(RthJA) | 18 (≤ 10 s) | °C/W |
    | 最小栅源电压(VGS(th)) | 1.0 | V |
    | 极限栅源电压(VGS) | ±20 | V |

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻: 在 10 V VGS 下 rDS(on) 仅为 0.025 Ω,有助于降低功耗并提高效率。
    - 高温操作能力: 能在高达 175°C 的结温下稳定运行,适合严苛的应用环境。
    - 高可靠性: 设计用于高可靠性应用,适用于工业和汽车领域。
    - 紧凑封装: TO-252 封装便于安装和散热管理。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: K3794-Z-E1-AZ 广泛应用于电源适配器、LED 驱动器和汽车电源模块中。例如,在一个典型的开关电源设计中,K3794-Z-E1-AZ 可以用于主功率转换电路。
    - 使用建议:
    - 在 PCB 布局时确保良好的热管理,可以添加铜箔散热片来帮助散热。
    - 高频开关应用中,注意控制驱动电阻 Rg 以减少开关损耗。
    - 考虑到其较高的结温操作能力,可以在高温环境下保持可靠运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K3794-Z-E1-AZ 与多种主流 PCB 材料兼容,特别适用于 FR4 板。它可以与现有的大多数电源系统兼容。
    - 支持: VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括样品申请和技术咨询。客户可以通过电话热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 如何避免 MOSFET 在过载条件下损坏?
    - 解决方案: 确保适当的散热措施,合理选择 Rg 以控制开关速度,避免瞬态过载。
    - 问题 2: 如何测量 MOSFET 的导通电阻?
    - 解决方案: 使用万用表在合适的 VGS 下进行测量。参考数据手册中的典型特性曲线。

    总结和推荐


    VBsemi K3794-Z-E1-AZ N-Channel MOSFET 在高效电力转换应用中表现出色。其超低导通电阻和高可靠性使其成为多种工业和汽车应用的理想选择。如果您需要一个高性能且可靠的 MOSFET 解决方案,强烈推荐使用 K3794-Z-E1-AZ。

K3794-Z-E1-AZ-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 45A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3794-Z-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3794-Z-E1-AZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3794-Z-E1-AZ-VB K3794-Z-E1-AZ-VB数据手册

K3794-Z-E1-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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