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FIZ34V-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: FIZ34V-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FIZ34V-VB

FIZ34V-VB概述

    # 电子元器件技术手册 — FIZ34V-VB N-Channel 60 V MOSFET

    产品简介


    FIZ34V-VB 是一款 N-Channel 60 V 漏源 (D-S) MOSFET,由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产。这款器件主要用于电力转换、电机驱动和其他高可靠性应用场合。它采用了全封装设计(TO-220 Fullpak),具备高电压隔离和优异的热管理能力,能够在广泛的温度范围内稳定运行。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏电流 \( ID \): 45 A (TC = 25°C), 220 A (脉冲)
    - 最大耗散功率 \( PD \): 52 W (TC = 25°C)
    - 热阻 \( R{thJA} \): 65 °C/W
    - 热阻 \( R{thJC} \): 3.1 °C/W
    - 最大峰值二极管恢复电压 \( dV/dt \): 4.5 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{stg} \): -55°C 至 +175°C
    规格参数
    - 静态漏源击穿电压 \( V{DS} \): 60 V (VGS = 0 V, ID = 250 μA)
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 V - 3.0 V (VDS = VGS, ID = 250 μA)
    - 栅源漏电 \( I{GSS} \): ±100 nA (VGS = ±20 V)
    - 零栅源漏电流 \( I{DSS} \): -25 μA (VDS = 60 V, VGS = 0 V)
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.027 Ω (VGS = 10 V, ID = 18 A)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1500 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): -
    - 转移电容 \( C{rss} \): -
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 95 nC (VGS = 10 V, VDS = 48 V, ID = 52 A)
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 27 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 46 nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 19 ns (VDD = 30 V, ID = 52 A, RG = 9.1 Ω, RD = 0.54 Ω)

    产品特点和优势


    - 高电压隔离: 高达2.5 kVRMS的电压隔离能力,使得器件适用于高压电路。
    - 低热阻: 具有较低的热阻(\( R{thJA} = 65 °C/W \),\( R{thJC} = 3.1 °C/W \)),确保高效的散热性能。
    - 宽温范围: 能够在-55°C至+175°C的温度范围内稳定工作。
    - 快速开关特性: 优秀的动态开关特性,如低开启延迟时间和上升时间。
    - 无铅封装: 符合RoHS标准,更加环保。
    - 低栅漏电流: 有效减少功耗和发热,提高系统可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FIZ34V-VB 在电力转换器、电机驱动器、电源管理系统中得到广泛应用。例如,在直流-直流变换器中,可以利用其出色的开关特性实现高效能量转换。
    使用建议
    - 电路布局: 设计时需考虑低杂散电感和地平面的布局,以提高系统稳定性。
    - 散热管理: 确保良好的散热路径,特别是高温环境下,可能需要外部散热片。
    - 测试条件: 测试过程中要控制好栅极驱动信号的上升时间,以避免过高dV/dt导致的栅极振荡。

    兼容性和支持


    FIZ34V-VB 与大多数主流的电源管理和控制电路兼容。制造商提供全面的技术支持,包括样品申请、设计咨询和技术文档,确保客户能够顺利集成到各类应用中。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何避免高dV/dt引起的噪声?
    - A: 使用屏蔽线缆并增加RC滤波器,确保信号线走线远离干扰源。
    2. Q: 如何正确选择合适的驱动电阻 \( RG \)?
    - A: 根据具体的应用需求选择适当的驱动电阻,以保证可靠的开关速度和减少不必要的能耗。

    总结和推荐


    FIZ34V-VB N-Channel 60 V MOSFET凭借其卓越的电气特性和可靠的工作性能,在电力电子应用中表现出色。它的高电压隔离、低热阻和宽温范围使其成为高压电力转换和驱动应用的理想选择。总体而言,该产品非常适合要求高可靠性和效率的应用场合,强烈推荐给需要高性能电力电子器件的工程师和设计师。

FIZ34V-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 45A
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FIZ34V-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FIZ34V-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FIZ34V-VB FIZ34V-VB数据手册

FIZ34V-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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