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K4195LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K4195LS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4195LS-VB

K4195LS-VB概述

    K4195LS-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4195LS-VB 是一款高性能的 N-通道 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具备低导通电阻和高耐压特性。这种 MOSFET 主要应用于高压开关电源、电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)等场合,是工业自动化、电动汽车和电力电子系统的关键元件。

    技术参数


    K4195LS-VB 的技术规格如下:
    - 电压参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 18 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 325 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 30 W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 门源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 - 4.0 V
    - 门源漏电流 \( I{GSS} \): ±100 nA
    - 零门电压漏极电流 \( I{DSS} \): 25 µA
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 2.5 Ω @ 10 V
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 80 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 1912 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 7.0 pF
    - 总门电荷 \( Qg \): 48 nC
    - 门源电荷 \( Q{gs} \): 12 nC
    - 门漏电荷 \( Q{gd} \): 19 nC
    - 开关时间:
    - 开启延时时间 \( t{d(on)} \): 10 ns
    - 上升时间 \( tr \): 20 ns
    - 关闭延时时间 \( t{d(off)} \): 34 ns
    - 下降时间 \( tf \): 18 ns
    - 二极管特性:
    - 持续源漏二极管电流 \( IS \): 4 A
    - 脉冲二极管正向电流 \( I{SM} \): 21 A
    - 体二极管正向电压 \( V{SD} \): 1.5 V
    - 体二极管反向恢复时间 \( t{rr} \): 493 - 739 ns
    - 体二极管反向恢复电荷 \( Q{rr} \): 2.1 - 3.2 µC

    产品特点和优势


    K4195LS-VB 具有以下几个显著特点:
    - 低栅极电荷:低栅极电荷意味着驱动要求简单,有利于降低功耗。
    - 增强型耐用性:增强的栅极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐用性提高了可靠性。
    - 完全表征:电容和雪崩电压及电流特性已经完全表征,确保产品的一致性和稳定性。
    - 符合 RoHS 标准:产品符合 RoHS 指令 2002/95/EC,适用于环保需求。

    应用案例和使用建议


    K4195LS-VB 适用于高压应用场合,如高压开关电源和电机驱动。为了充分发挥其性能,建议用户遵循以下几点:
    - 确保电路设计中考虑散热措施,避免高温导致性能下降。
    - 在测试过程中需注意瞬态热阻抗和脉冲宽度限制,以防止损坏。

    兼容性和支持


    K4195LS-VB 与各种电源管理和电机控制应用中的其他电子元器件具有良好的兼容性。此外,厂商提供了详细的技术支持和售后服务,确保客户能够高效地应用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下列出了用户可能会遇到的一些问题及其解决方案:
    - 问题一:开启延时时间长
    - 解决方法:检查驱动电路的设计,确保门极电阻值合理。

    - 问题二:过高的漏电流
    - 解决方法:重新校准驱动电压,确保在规定的 \( V{GS(th)} \) 范围内操作。

    总结和推荐


    总体而言,K4195LS-VB 是一款高性能、可靠且易于驱动的 N-通道 MOSFET。其低导通电阻、高耐压能力和广泛的温度适应范围使其成为高压应用的理想选择。鉴于其出色的特性和广泛的应用范围,我们强烈推荐此产品给需要高性能 MOSFET 的工业用户。

K4195LS-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4195LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4195LS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4195LS-VB K4195LS-VB数据手册

K4195LS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
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500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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