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BSS84TA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.87Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: BSS84TA-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BSS84TA-VB

BSS84TA-VB参数

参数 值
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 500mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

BSS84TA-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

BSS84TA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BSS84TA-VB BSS84TA-VB数据手册

BSS84TA-VB封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
130+ ¥ 0.209
300+ ¥ 0.1936
500+ ¥ 0.1858
3000+ ¥ 0.1781
库存: 400000
起订量: 130 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:130
合计: ¥ 27.17
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