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FTA04N60D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: FTA04N60D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FTA04N60D-VB

FTA04N60D-VB概述

    FTA04N60D-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FTA04N60D-VB 是一款N沟道650V(D-S)功率MOSFET,适用于多种电力转换和控制应用。其主要功能包括提供高效的电源管理和低损耗的开关操作。该器件广泛应用于电机驱动、电源管理、太阳能逆变器和照明系统等领域。

    技术参数


    FTA04N60D-VB 的关键技术参数如下:
    - 额定电压 VDS:650V
    - 导通电阻 RDS(on)(VGS = 10 V):2.5Ω
    - 最大总栅极电荷 Qg:48 nC
    - 栅源电荷 Qgs:12 nC
    - 栅漏电荷 Qgd:19 nC
    - 连续漏电流 ID:3.8 A(TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏电流 IDM:18 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 EAS:325 mJ
    - 重复雪崩电流 IAR:4 A
    - 重复雪崩能量 EAR:6 mJ
    - 最高功耗 PD:30 W(TC = 25°C)
    - 结到环境热阻 RthJA:65 °C/W
    - 结到外壳热阻 RthJC:2.1 °C/W
    - 输入电容 Ciss:80 pF
    - 输出电容 Coss:177 pF
    - 反向传输电容 Crss:7.0 pF
    - 体二极管最大正向电流 ISM:21 A
    - 结温范围 TJ, Tstg:-55°C 至 +150°C
    - 引脚焊接温度:300°C(峰值温度)

    产品特点和优势


    FTA04N60D-VB 具备以下独特功能和优势:
    - 低栅极电荷 Qg:简化驱动要求,降低功耗。
    - 改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性:确保更高的可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压及电流:便于设计时精确评估。
    - 符合RoHS指令:环保友好,适用于对环保要求高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    FTA04N60D-VB 在电机驱动和电源管理系统中有广泛应用。在设计时,可以参考图 11 和图 12 中提供的数据来优化驱动电路。特别是在高频率开关应用中,注意栅极电荷和驱动电路的设计,以确保可靠性和效率。

    兼容性和支持


    FTA04N60D-VB 具有良好的通用性,可以与多种电路设计和设备兼容。供应商提供了详尽的技术支持和维护服务,用户可以通过服务热线 400-655-8788 获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:最大漏电流 ID 为何受限于结温?
    - 答:ID 受限于结温是因为较高的温度会导致更高的导通电阻,进而限制电流。设计时需要考虑散热措施以确保不超过最大结温。

    2. 问:如何优化栅极驱动电路以减少损耗?
    - 答:通过选择合适的栅极电阻值,可以减小栅极电荷的影响,从而减少驱动损耗。同时,确保电路具有低寄生电感和高效率的接地平面。

    总结和推荐


    FTA04N60D-VB 是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET,具有出色的耐压能力和低导通电阻。其独特的低栅极电荷和改进的雪崩耐受性使其在多种电力转换和控制系统中表现出色。综合来看,该产品非常适合用于高可靠性的电力应用中,推荐使用。
    以上是对 FTA04N60D-VB N-Channel MOSFET 的详细介绍,涵盖产品特性、技术规格、应用实例和维护指南等内容,希望能为您的项目选型提供有力的支持。

FTA04N60D-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FTA04N60D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FTA04N60D-VB数据手册

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FTA04N60D-VB封装设计

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