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NVD4815NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: NVD4815NT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVD4815NT4G-VB

NVD4815NT4G-VB概述

    NVD4815NT4G N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVD4815NT4G 是一款高性能的N沟道30V(D-S)功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的TrenchFET®工艺,具有极低的导通电阻(RDS(on))和较高的电流处理能力,广泛应用于OR-ing电路、服务器电源系统和DC/DC转换器等领域。该产品通过严格的可靠性测试,确保在恶劣环境下依然稳定运行。

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 VDS | 30 V |
    | 门限电压 VGS(th) | 1.5 - 2.0 V |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.007 Ω (VGS=10V) |
    | 零门限漏电流 IDSS | 1 µA (VDS=30V) |
    | 最大脉冲漏电流 IDM | 200 A |
    | 额定连续源漏电流 IS | 50 A (TC=25°C) |
    | 节点至环境热阻 RthJA | 32 °C/W |
    | 节点至外壳热阻 RthJC | 0.5 °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:低导通电阻和高电流密度,实现高效能和低功耗。
    - 100% Rg和UIS测试:保证每个产品都经过严格的可靠性测试。
    - 符合RoHS标准:环保材料,适用于各种应用场合。
    - 卓越的热稳定性:能够在广泛的温度范围内稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器电源系统:用于服务器电源系统中作为OR-ing开关,提高系统的可靠性和效率。
    - DC/DC转换器:广泛应用于各类电源转换设备中,作为主控开关管。
    使用建议:
    - 散热管理:由于MOSFET在高电流下会产生大量热量,建议使用良好的散热设计以保证长期稳定运行。
    - 门极驱动:选择合适的门极电阻值以避免过高的开关损耗和过高的峰值电流。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - NVD4815NT4G采用标准TO-252封装,易于与其他标准电子元件兼容。
    支持:
    - 台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够获得最佳的应用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 使用更大的散热片或冷却系统来降低温度。 |
    | 开关频率过高 | 减少门极电阻以降低开关损耗。 |
    | 寿命不足 | 确保正确的散热设计和门极驱动条件。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    NVD4815NT4G是一款集高性能和高可靠性于一身的N沟道30V MOSFET,特别适用于要求苛刻的应用环境。其低导通电阻和优异的热稳定性使其成为服务器电源系统和DC/DC转换器的理想选择。
    推荐:
    鉴于其出色的表现和广泛应用的潜力,我们强烈推荐使用NVD4815NT4G MOSFET。只要注意正确的应用方法和适当的散热措施,该产品将在多种应用场景中表现出色。

NVD4815NT4G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVD4815NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVD4815NT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NVD4815NT4G-VB NVD4815NT4G-VB数据手册

NVD4815NT4G-VB封装设计

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