处理中...

首页  >  产品百科  >  200P03S-VB

200P03S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8\n用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
供应商型号: 200P03S-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 200P03S-VB

200P03S-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V MOSFET(型号:200P03S)
    本产品是一款采用TrenchFET®技术的P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它适用于多种负载开关和电池开关的应用场景。200P03S系列具备低导通电阻(RDS(on)),能够实现高效的电源管理和低功耗运行。此外,所有样品均经过100%栅极电阻(Rg)测试以确保质量。
    主要功能
    - 低导通电阻:在VGS=-10V时为0.018Ω,在VGS=-4.5V时为0.024Ω。
    - 高耐压:最大击穿电压VDS为30V。
    - 低泄漏电流:零门电压漏电流IDSS小于1μA。
    应用领域
    - 负载开关:用于电路中的切换和控制。
    - 电池开关:用于移动设备和电池供电系统的控制。

    技术参数


    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 击穿电压VDS | VGS = 0 V -30 | V |
    | 导通电阻RDS(on) | VGS=-10V | 0.018 0.024 | Ω |
    | 门阈电压VGS(th) | VDS = VGS | -1.0 | -2.5 V |
    | 零门电压漏电流IDSS | VDS = -30V | <1 μA |
    | 脉冲电流IDM | -30 | A |
    | 最大功耗PD | TC=25°C | 4.2 2.7 | W |
    | 热阻RthJA | TA=25°C | 40 50 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 环保材料:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素。
    2. 高效能:超低导通电阻,能够在多种工作条件下提供高效的电源管理。
    3. 质量保证:100% Rg测试,确保产品无缺陷,可靠性高。
    4. 温度范围广:-55°C到150°C的宽泛工作温度范围,适用于各种极端环境。
    5. 高稳定性:良好的温度系数和快速的开关时间,提高系统稳定性和响应速度。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    200P03S MOSFET广泛应用于便携式电子设备的电池管理系统。例如,在智能手机和平板电脑中作为电池开关,以确保设备的安全性和延长电池寿命。此外,它也适用于负载开关,如电源管理系统中的开关电路。
    使用建议:
    1. 在使用时,应确保VGS不超出±20V的限制,以避免损坏。
    2. 使用大电流时,应注意散热问题,可通过增加散热片等方式来降低温升。
    3. 在选择并联使用多个200P03S MOSFET时,要确保它们的特性一致,以避免电流分布不均导致的过热问题。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 200P03S MOSFET可与其他常见的SO-8封装的MOSFET互换,适用于多种电路设计。
    - 它可以与现有的电源管理和电池管理系统兼容,便于集成到现有设计中。
    支持:
    - 厂商提供详细的资料和技术支持,包括应用指南、样本和专业咨询服务。
    - 服务热线:400-655-8788,随时为您提供技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高引起发热 | 增加散热片,降低工作频率 |
    | 开关延迟时间长 | 检查门电阻Rg设置,优化电路设计 |
    | 温度过高 | 使用大散热片或散热器,改善通风条件 |

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 低导通电阻和高效的电源管理能力。
    - 广泛的工作温度范围和出色的稳定性。
    - 符合环保标准,不含卤素。
    - 缺点:
    - 虽然提供了详细的技术参数,但在某些特定应用中可能需要额外的散热措施。
    推荐
    鉴于200P03S MOSFET的高效性能和广泛的适用性,强烈推荐用于电源管理和电池开关等应用。特别是对于要求高可靠性和稳定性的场景,这款MOSFET无疑是一个理想的选择。如果您正在寻找一款高效且可靠的P沟道MOSFET,200P03S是您的首选。

200P03S-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.37V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

200P03S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

200P03S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 200P03S-VB 200P03S-VB数据手册

200P03S-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.2635
100+ ¥ 1.1699
500+ ¥ 1.1231
4000+ ¥ 1.0763
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 31.58
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504