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K3888-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K3888-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3888-01MR-VB

K3888-01MR-VB概述

    K3888-01MR-VB 功率MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3888-01MR-VB 是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),具有低电阻率和低栅极电荷的特点。这款器件广泛应用于多种场合,如服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应器、照明系统(高密度放电灯HID、荧光灯镇流器)以及工业控制等领域。

    2. 技术参数


    以下是K3888-01MR-VB的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | - | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 门漏电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 总门电荷 | Qg | - | - | - | nC |
    | 门源电荷 | Qgs | - | - | - | nC |
    | 门漏电荷 | Qgd | - | - | - | nC |
    | 最大连续漏极电流 | ID | - | - | 178/156/53 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 57 | A |
    | 反向二极管峰值反向恢复电流 | IRRM | - | - | 10 | A |
    | 反向二极管峰值反向恢复电荷 | Qrr | - | - | 2.3 | μC |

    3. 产品特点和优势


    - 低功耗设计:K3888-01MR-VB具备低通态电阻(Ron)和低输入电容(Ciss),这有助于减少在开关操作过程中的损耗。
    - 高效能:低栅极电荷(Qg)进一步提高了整体效能,减少了热耗散。
    - 可靠性高:经过严格测试,其单次脉冲雪崩能量(EAS)高达97mJ,确保在极端条件下的可靠运行。
    - 良好的热稳定性:即使在高温环境下,也能保持出色的性能表现。

    4. 应用案例和使用建议


    K3888-01MR-VB特别适合用于高频切换应用中,如开关电源和功率因数校正电路。在使用时需要注意以下几点:
    - 在电路设计时,考虑到其最大漏源电压(VDS)为650V,应避免超过这一极限值,以防止击穿。
    - 使用中,建议采用合适的散热设计以确保其长期稳定运行。
    - 建议选用合适型号的驱动器,以确保快速准确的栅极电荷管理,从而提高效率并减少能耗。

    5. 兼容性和支持


    K3888-01MR-VB与现有的大多数电子元器件兼容,适用于多种应用场合。VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障排除及保修服务等。用户可通过官方客服热线400-655-8788或访问官网www.VBsemi.com获取更多信息和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: K3888-01MR-VB的最大漏源电压是多少?
    - A: 最大漏源电压为650V。
    - Q: 如何正确安装K3888-01MR-VB?
    - A: 确保按照制造商提供的焊接指南进行操作,建议的焊接温度为300°C,持续时间不超过10秒。
    - Q: 当出现过热现象时怎么办?
    - A: 检查散热系统是否正常工作,并根据需要调整冷却措施。如果问题持续存在,建议联系技术支持寻求帮助。

    7. 总结和推荐


    总体而言,K3888-01MR-VB是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于多种工业和消费类电子产品。凭借其优秀的电气特性和热稳定性,它可以在各种应用场景中发挥重要作用。我们强烈推荐此款产品给追求高效能和高稳定性的用户。

K3888-01MR-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3888-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3888-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3888-01MR-VB K3888-01MR-VB数据手册

K3888-01MR-VB封装设计

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500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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