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2SK3433-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: 2SK3433-Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3433-Z-VB

2SK3433-Z-VB概述


    产品简介


    2SK3433-Z-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道60V(D-S)功率MOSFET。这款MOSFET采用表面贴装技术(SMT),适用于各种应用领域,如电源管理、电机驱动和照明控制等。该产品不仅符合RoHS标准,还满足无卤素要求,使其成为环保型电子产品的理想选择。

    技术参数


    以下是2SK3433-Z-VB的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 门源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 50 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 400 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 150 W
    - 峰值二极管恢复 (dV/dt): 4.5 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60 V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 - 2.5 V
    - 零门源电压漏极电流 (IDSS): 25 μA (VDS = 60 V)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 0.024 Ω (VGS = 10 V)
    - 0.028 Ω (VGS = 4.5 V)
    - 转移电导 (gfs): 23 S
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 190 pF
    - 输出电容 (Coss): -
    - 反向转移电容 (Crss): -
    - 总门电荷 (Qg): 66 nC
    - 门源电荷 (Qgs): 12 nC
    - 门漏电荷 (Qgd): 43 nC

    产品特点和优势


    2SK3433-Z-VB 具有多项显著特点:
    1. 低导通电阻 (RDS(on)):在不同电压下的导通电阻非常低,从而实现高效率的能量转换。
    2. 快速开关:得益于低电容和低门电荷,能够在短时间内完成开关操作,非常适合高频应用。
    3. 无卤素和RoHS合规:满足环保要求,适合绿色电子产品制造。
    4. 逻辑级门驱动:可直接与逻辑电路接口,简化设计和制造过程。
    5. 高可靠性:通过严格的测试和认证,确保在极端环境下也能稳定运行。

    应用案例和使用建议


    2SK3433-Z-VB MOSFET广泛应用于多种场合,例如:
    - 电源管理:利用其低RDS(on)特性和高开关速度,可以有效地进行电压调节和电源转换。
    - 电机驱动:适合作为电机控制器的驱动元件,提供高效且可靠的控制。
    - LED照明:在LED驱动电路中,其快速开关性能有助于减少能量损耗。
    使用建议:
    - 在高频应用中,考虑使用低电感的布局设计,以避免寄生电感对性能的影响。
    - 确保良好的散热设计,以防止过热和性能下降。

    兼容性和支持


    2SK3433-Z-VB MOSFET具有良好的兼容性,适用于多种封装和技术标准。VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档和客户咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或散热风扇来提高散热效果。

    2. 问题:电源转换过程中出现过压现象。
    - 解决方案:检查输入电源电压是否稳定,确保电路中有适当的稳压和滤波元件。

    总结和推荐


    2SK3433-Z-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、快速开关和高可靠性等优势。它广泛应用于电源管理和电机驱动等领域,尤其适合需要高效能和紧凑设计的应用场合。鉴于其出色的性能和环保特性,我们强烈推荐该产品给需要高效电源管理和高可靠性电子系统的设计师和制造商。

2SK3433-Z-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 50A
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3433-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3433-Z-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3433-Z-VB 2SK3433-Z-VB数据手册

2SK3433-Z-VB封装设计

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500+ ¥ 1.5558
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