处理中...

首页  >  产品百科  >  K3153-VB

K3153-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3153-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3153-VB

K3153-VB概述

    # K3153-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3153-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 100-V MOSFET。它采用 TrenchFET® Power 技术,能够在高达 175 °C 的工作温度下稳定运行。K3153-VB 主要用于隔离式直流-直流转换器(DC/DC 转换器),具有低热阻封装,非常适合需要高可靠性和高性能的应用场合。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 栅源击穿电压 (V(BR)DSS): 100 V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 未指定
    - 栅源漏电流 (IDSS):
    - 在 VDS = 100 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C 下: 50 µA
    - 在 VDS = 100 V, VGS = 0 V, TJ = 175 °C 下: 250 µA
    - 漏电流 (ID):
    - 最大连续漏电流 (TJ = 175 °C): 28 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 120 A
    - 导通电阻 (rDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V, ID = 30 A 时: 0.034 Ω
    - 在 VGS = 10 V, ID = 30 A, TJ = 125 °C 时: 0.063 Ω
    - 在 VGS = 10 V, ID = 30 A, TJ = 175 °C 时: 0.084 Ω
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 5100 pF
    - 输出电容 (Coss): 480 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 210 pF
    - 总栅电荷 (Qg): 90-130 nC
    - 上升时间 (tr): 220-330 ns
    - 下降时间 (tf): 200-300 ns
    - 栅极电阻 (Rg): 0.5-3.3 Ω
    - 源极至漏极二极管正向电压 (VSD):
    - 在 IF = 65 A, VGS = 0 V 下: 1.0-1.5 V
    其他参数
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 最大功率耗散 (PD): 360 W (TJ = 25 °C)

    产品特点和优势


    K3153-VB 的主要特点包括:
    - 高工作温度: 支持高达 175 °C 的工作温度,适用于高温应用。
    - 低导通电阻: 最小导通电阻仅为 0.034 Ω(在 VGS = 10 V, ID = 30 A 时),有效降低功耗。
    - 低热阻封装: 改善散热性能,提高稳定性。
    - 高可靠性: 通过严格的测试,确保产品在恶劣环境下依然可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K3153-VB 通常应用于隔离式直流-直流转换器(DC/DC 转换器)。由于其高可靠性和低导通电阻,它特别适合于需要高效能和高温稳定性的应用。
    使用建议
    - 确保电路设计能够满足 MOSFET 的工作条件,特别是在高负载和高温环境中。
    - 使用良好的散热设计,以进一步降低工作温度并提高稳定性。
    - 注意栅极电阻的选择,以确保适当的栅极驱动电流,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    K3153-VB 与标准 TO-220 FULLPAK 封装兼容,易于安装在大多数 PCB 上。VBsemi 提供详尽的技术支持文档和客户咨询服务,确保用户能够正确使用该产品。如有任何问题,可拨打 400-655-8788 联系服务热线。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 导通电阻偏高。
    - 解决方案: 检查 VGS 电压是否足够高,确保在最佳范围内工作。
    2. 问题: 栅极驱动信号不稳定。
    - 解决方案: 确保栅极驱动电路的设计能够提供稳定的 VGS 电压,同时注意减少寄生电容的影响。
    3. 问题: 工作温度超出范围。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如散热片或风扇,确保工作温度不超过 175 °C。

    总结和推荐


    K3153-VB 是一款优秀的 N-Channel MOSFET,具备高可靠性、低功耗和宽工作温度范围的特点。它在隔离式直流-直流转换器中的应用表现尤为出色。对于需要高效能和高可靠性的应用场合,我们强烈推荐使用 K3153-VB。

K3153-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,48mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3153-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3153-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3153-VB K3153-VB数据手册

K3153-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
1000+ ¥ 2.3183
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 27.21
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504