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FS7KM-12-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: FS7KM-12-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FS7KM-12-VB

FS7KM-12-VB概述

    Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效的开关器件,主要用于电力电子转换应用。其主要功能是用于切换电源、电压调整和其他电能管理任务。常见的应用领域包括服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)和工业应用。

    2. 技术参数


    - 最高击穿电压(VDS):650V,适用于大多数高电压应用。
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)):1Ω(在25°C时)。
    - 最大总栅极电荷(Qg):13nC。
    - 最大门极-源极电荷(Qgs):11.1nC。
    - 最大门极-漏极电荷(Qgd):11.8nC。
    - 重复脉冲峰值电流(UIS):97mJ。
    - 连续漏极电流(ID):7A(在TJ=150°C时)。
    - 最大功率耗散(PD):140W。

    3. 产品特点和优势


    低损耗设计:这款Power MOSFET具有较低的栅极输入电容(Ciss)和有效的栅极电荷(Qg),能够显著降低开关和导通损耗。此外,其低FOM(Ron x Qg)使其非常适合高频应用。
    超低栅极电荷:Qg值较低,可以实现更快的开关速度,减少开关过程中的能量损失,从而提高整体效率。
    高可靠性:具备高重复脉冲峰值电流能力和可靠的瞬态热阻抗特性,适合在恶劣的工作环境中稳定运行。
    广泛的应用范围:可应用于多种高功率电子系统,如数据中心、通信基础设施、工业控制设备和照明系统。

    4. 应用案例和使用建议


    案例一:在服务器和电信电源供应中,Power MOSFET可以高效地转换高压直流电至低压直流电,以满足服务器的电源需求。建议:由于这些设备需要长时间运行且负载变化较大,确保散热系统的有效性,以便保持最佳工作温度,避免过热损坏。
    案例二:在荧光灯和高强度放电灯的镇流器中,Power MOSFET能够有效地调节输出电压,提供稳定的电流供给,延长灯泡使用寿命。建议:为了减少电磁干扰,采用适当的布局设计,如接地平面和低感抗线路。

    5. 兼容性和支持


    此款Power MOSFET采用标准TO-220 FULLPAK封装,易于与其他电子元件和设备集成。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的数据手册、应用指南和故障排除文档。此外,他们还提供专业的客户服务和技术支持热线,帮助用户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备过热,无法正常工作。
    - 解决方案:检查散热片是否正确安装,增加散热风扇或优化散热路径,以确保设备在安全的工作温度范围内运行。

    - 问题2:电源供应不稳定。
    - 解决方案:确认连接和电缆布局合理,使用低感抗电缆和合适的电容滤波器来平滑输出电压,减少电压波动。

    7. 总结和推荐


    总体而言,这款Power MOSFET凭借其低损耗特性、宽泛的工作温度范围以及可靠性,成为高功率电子应用的理想选择。推荐在对效率和稳定性有较高要求的场合使用,特别是在需要长时间运行和承受高电压的应用环境中。通过遵循制造商提供的指导和建议,用户可以获得最佳的性能表现和较长的使用寿命。

FS7KM-12-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FS7KM-12-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FS7KM-12-VB数据手册

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FS7KM-12-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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