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FS18KM-9A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: FS18KM-9A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FS18KM-9A-VB

FS18KM-9A-VB概述

    电子元器件技术手册解析:N-Channel 550V Power MOSFET

    产品简介


    N-Channel 550V Power MOSFET(型号:FS18KM-9A-VB)是一款高性能、低损耗的电子元器件,主要应用于消费电子、服务器与电信电源供应系统、工业焊接、感应加热、电机驱动等领域。该产品以其低电阻率、低输入电容和快速开关能力等特点,为设计者提供了一种优化效率和性能的解决方案。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数和性能指标:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 550 | V |
    | 漏源导通电阻(25°C) | 0.26 | Ω |
    | 总栅极电荷 | 150 | nC |
    | 输入电容 | 3094 | pF |
    | 输出电容 | 152 | pF |
    | 有效输出电容(能量相关) | 131 | pF |
    | 有效输出电容(时间相关) | 189 | pF |
    | 栅极-源极电荷 | 12 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | 25 | nC |
    | 最大脉冲漏电流 | 56 | A |
    | 雪崩能量 | 281 | mJ |
    | 最大功率耗散 | 60 | W |
    此外,该产品还具备以下绝对最大额定值:
    - 栅源电压(AC,f > 1Hz):30 V
    - 最大连续漏电流(TJ = 150°C):18 A
    - 最大脉冲漏电流(TC = 100°C):11 A

    产品特点和优势


    该N-Channel 550V Power MOSFET具有以下几个显著特点和优势:
    - 低电阻率:低电阻率可降低功耗,提高效率。
    - 低输入电容:减少开关过程中的电容损耗,加快响应速度。
    - 快速开关能力:低栅极电荷和栅极-漏极电荷使其能够实现高速开关操作。
    - 高雪崩耐受性:能承受高达281mJ的单脉冲雪崩能量。
    - 简单门驱动电路:简化电路设计,降低成本。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于多种应用场景,例如:
    - 消费电子产品:如液晶电视或等离子电视的显示模块。
    - 服务器和电信电源供应系统:如SMPS(开关电源)。
    - 工业应用:如焊接、感应加热和电机驱动。
    - 电池充电器:适用于各种类型的电池充电器。
    - 功率因数校正(PFC):提高系统的能效。
    在使用该产品时,需注意:
    - 热管理:确保良好的散热设计,避免温度过高导致损坏。
    - 电路布局:尽量减少寄生电感,使用接地平面,以提高性能。

    兼容性和支持


    该N-Channel 550V Power MOSFET具有较好的兼容性,可以与大多数标准电源转换设备和控制系统兼容。此外,制造商提供了详细的技术文档和客户支持,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是常见的用户问题及其解决方案:
    1. 过热问题
    - 解决方案:增加散热片或风扇,改善散热条件。
    2. 开关速度慢
    - 解决方案:检查电路布局,减少寄生电感。
    3. 电压不稳定
    - 解决方案:检查电源线连接是否牢固,确保电压稳定。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 550V Power MOSFET是一款高性能的产品,适合于需要高效率、低损耗的应用场合。其低电阻率、低输入电容和快速开关能力使其在消费电子、服务器电源和工业应用中表现出色。建议在需要高性能功率器件的设计项目中使用此产品。

FS18KM-9A-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 550V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FS18KM-9A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FS18KM-9A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FS18KM-9A-VB FS18KM-9A-VB数据手册

FS18KM-9A-VB封装设计

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型号 价格(含增值税)
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