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K4078-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: K4078-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4078-ZK-VB

K4078-ZK-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为K4078-ZK,属于TrenchFET® Power MOSFET系列。它广泛应用于同步整流、电源管理等领域。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高连续源极电流(ID),能够在高频开关电源应用中提供出色的性能。

    技术参数


    以下是根据技术手册提取的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):4V
    - 栅源电压 (VGS):±25V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时:85A
    - TC = 70°C 时:70A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):250A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):320mJ
    - 总门电荷 (Qg):80 nC(典型值)
    - 门到源电荷 (Qgs):20 nC
    - 门到漏电荷 (Qgd):12 nC
    - 门电阻 (Rg):0.85 Ω(f = 1 MHz)
    - 接通延迟时间 (td(on)):
    - VDD = 20V,RL = 1.0Ω,ID ≈ 20A,VGEN = 10V,Rg = 1Ω:20-30ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):
    - VDD = 20V,RL = 1.0Ω,ID ≈ 20A,VGEN = 4.5V,Rg = 1Ω:102-155ns
    - 最高工作温度 (TJ):-55°C 至 150°C
    - 热阻抗 (RthJA):32°C/W(典型值)

    产品特点和优势


    K4078-ZK N沟道MOSFET的主要特点和优势如下:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10V时仅为0.0050Ω,在VGS = 4.5V时为0.0065Ω,提供了优异的功率效率。
    - 高耐压能力:最大漏源电压为4V,适用于多种高压应用。
    - 高可靠性和测试标准:100% Rg和UIS测试确保产品性能可靠。
    - 快速开关特性:接通和关断延迟时间短,提高了工作效率。
    - 高连续源极电流:高达85A,适合大功率应用。
    - 符合RoHS标准:环保设计,适用于各类应用场景。

    应用案例和使用建议


    K4078-ZK N沟道MOSFET非常适合用于高频开关电源、电机驱动、LED驱动等领域。例如,在电源转换器中,它可以显著降低功耗,提高整体效率。
    使用建议:
    - 电路布局优化:尽量缩短栅极走线,减少寄生电容影响。
    - 散热管理:确保良好的散热设计,以应对大功率应用中的热损耗。
    - 负载匹配:确保负载与MOSFET的额定电流匹配,避免过载。

    兼容性和支持


    该产品采用了TO-252封装,可方便地安装在标准的电路板上。此外,制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可以通过400-655-8788服务热线获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET工作温度超出规范范围。
    - 解决方案:检查电路设计和散热措施,必要时增加散热片。
    2. 问题:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查电路中的电容值,确保与MOSFET的动态特性相匹配。
    3. 问题:功耗过高。
    - 解决方案:优化电路设计,降低栅极电阻或选择更低导通电阻的MOSFET型号。

    总结和推荐


    K4078-ZK N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性和快速开关特性,在高频电源转换器和其他功率管理应用中表现出色。其兼容性强且支持良好,是电力电子工程师的理想选择。综合考虑其性能和成本效益,强烈推荐该产品用于需要高效、可靠的电源管理和电机驱动的应用场合。

K4078-ZK-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 85A
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4078-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4078-ZK-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4078-ZK-VB K4078-ZK-VB数据手册

K4078-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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