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2SK4058-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: 2SK4058-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK4058-ZK-VB

2SK4058-ZK-VB概述

    # N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本介绍
    N-Channel 30-V MOSFET(型号:2SK4058-ZK)是一种高性能的功率场效应晶体管,采用先进的TrenchFET®工艺制造。此器件具有极低的导通电阻(RDS(on)),广泛应用于服务器电源管理、DC/DC转换器以及OR-ing电路中。通过严格的测试流程(如100% Rg和UIS测试),确保了产品的可靠性和稳定性。
    主要功能
    - 高效率的电能转换
    - 支持高电流输出,适用于高功率需求场景
    - 超低的开关损耗,减少功耗
    - 完全符合RoHS标准,绿色环保
    应用领域
    - 数据中心服务器电源管理系统
    - 工业级DC/DC转换器
    - 电池管理系统
    - OR-ing保护电路

    2. 技术参数


    以下为2SK4058-ZK的技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.5 V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) 0.005 | 0.006 | Ω |
    | 漏极连续电流 | ID 25.8 | 90 | A |
    | 节点到环境热阻 | RthJA | 32 40 | °C/W |
    | 环境温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |
    此外,该器件支持动态特性如快速开关速度和低栅极电荷(Qg),并满足严格的热管理和耐用性要求。

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 高电流密度:在VGS = 10V时,典型导通电流可达90A。
    - 高效率:超低导通电阻(0.005Ω @ VGS=10V),大幅降低能耗。
    - 先进封装设计:TO-252封装提供出色的散热性能和安装灵活性。
    - 可靠性验证:所有产品经过UIS(雪崩能力)和Rg测试,确保稳定运行。
    市场竞争力
    - 极低功耗:在高频率开关应用中表现出色,非常适合需要长时间运行的应用场景。
    - 绿色环保:符合RoHS标准,适应现代电子设计对环保的要求。
    - 广泛兼容性:易于集成至多种工业和消费类电子系统中。

    4. 应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 数据中心服务器电源管理:在大电流环境中实现高效电能传输,提升整体系统效率。
    - DC/DC转换器:用于提高电源系统的效率,同时保持紧凑的设计尺寸。
    - OR-ing电路:保护敏感负载免受过压或欠压的影响。
    使用建议
    - 确保良好的散热措施,避免因高温导致的性能下降。
    - 在高功率应用中,建议结合外部散热片以延长使用寿命。
    - 考虑将多个器件并联使用,以应对更高电流需求。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    2SK4058-ZK可以与其他主流厂商的同类型产品互换使用,确保现有设计的兼容性。
    厂商支持
    - 提供详细的技术文档和技术支持。
    - 响应迅速的客户服务团队,解决客户在使用过程中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 确保驱动电路匹配合适的驱动电压和频率。 |
    | 温度异常升高 | 添加散热器或优化PCB布局以改善散热效果。 |
    | 启动时出现不稳定现象 | 检查输入电压是否稳定,并调整驱动电阻。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    2SK4058-ZK是一款高性能的N-Channel MOSFET,以其出色的导通电阻、高电流承载能力和优秀的散热性能在市场上占据领先地位。其广泛的应用场景使其成为现代电子设计的理想选择。
    推荐意见
    强烈推荐给需要高效率、高可靠性的电子系统开发者。无论是数据中心、工业自动化还是消费电子领域,这款MOSFET都能提供卓越的表现。对于需要高电流密度和紧凑设计的应用场景,2SK4058-ZK无疑是最佳解决方案之一。
    联系服务热线:400-655-8788,了解更多详细信息和支持服务。
    作者:VBsemi 技术编辑
    时间:2023年11月

2SK4058-ZK-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK4058-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK4058-ZK-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK4058-ZK-VB 2SK4058-ZK-VB数据手册

2SK4058-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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起订量: 20 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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