处理中...

首页  >  产品百科  >  K3A65DA-VB

K3A65DA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K3A65DA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3A65DA-VB

K3A65DA-VB概述

    K3A65DA-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3A65DA-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有650V的漏源电压(VDS),适用于各种高电压和大电流应用。它主要用于电源转换、电机驱动、照明系统和其他需要高效能功率控制的领域。

    2. 技术参数


    以下是 K3A65DA-VB 的关键技术参数:
    - 漏源电压(VDS): 650 V
    - 导通电阻(RDS(on)): 2.5 Ω (VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷(Qg): 48 nC
    - 栅源电荷(Qgs): 12 nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 19 nC
    - 最大脉冲漏电流(IMD): 18 A
    - 最大重复雪崩能量(EAR): 6 mJ
    - 工作温度范围: -55 °C 到 +150 °C
    - 最大安全工作区: 见图8

    3. 产品特点和优势


    K3A65DA-VB 具有以下特点和优势:
    - 低栅极电荷(Qg): 简化驱动需求,减少功耗。
    - 增强型栅极、雪崩和动态dv/dt耐受性: 提升了整体可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压电流: 提高了应用的稳定性和精度。
    - 符合RoHS标准: 适用于环保要求严格的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    K3A65DA-VB 广泛应用于以下领域:
    - 电源转换: 如开关电源、直流-直流转换器。
    - 电机驱动: 如风扇、泵和电动工具。
    - 照明系统: 如LED驱动器。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计以防止过热。
    - 选择合适的驱动电路以减少栅极振荡,提高稳定性。
    - 针对不同应用场景,优化栅极驱动电阻以实现最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: K3A65DA-VB 与常见的电源管理和驱动电路兼容,适用于多种应用场合。
    - 支持和服务: 制造商提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够充分发挥其性能。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: MOSFET发热严重。
    解决方案: 使用合适的散热片,并确保良好的热管理设计。

    问题2: 开关过程中出现异常噪音。
    解决方案: 检查并优化驱动电路设计,减少栅极振荡。
    问题3: MOSFET在高电流下性能不稳定。
    解决方案: 确保散热设计得当,避免超过最大允许的连续漏电流。

    7. 总结和推荐


    K3A65DA-VB 是一款高度可靠且功能强大的N沟道功率MOSFET,适用于高电压、大电流的电力转换和驱动应用。它的低栅极电荷、高耐压能力和优越的雪崩性能使其在多种应用场景中表现出色。强烈推荐用于需要高效能和稳定性的电力系统中。

K3A65DA-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3A65DA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3A65DA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3A65DA-VB K3A65DA-VB数据手册

K3A65DA-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831