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K1959-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: K1959-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1959-VB

K1959-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高效的电子元器件,主要用作负载开关,在便携式设备中具有广泛的应用。其特点是采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,并符合无卤素环保标准,特别适用于高可靠性的移动设备设计。

    2. 技术参数


    以下是该 MOSFET 的主要技术规格:
    - 额定电压 (VDS):30 V
    - 漏极电流 (ID):最大值为 6.8 A(TA = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大值为 30 A
    - 门极-源极电压 (VGS):± 20 V
    - 连续功耗 (PD):最大值为 6.3 W(TA = 25°C)
    - 栅极电阻 (Rg):2.4 Ω(f = 1 MHz)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5 V, ID = 6.3 A 时:0.022 Ω
    - VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A 时:0.030 Ω
    - 栅极电荷 (Qg):
    - VDS = 10 V, VGS = 10 V, ID = 6.3 A 时:22 nC
    - VDS = 10 V, VGS = 4.5 V, ID = 6.3 A 时:10 nC
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 150°C
    - 热阻 (RthJA):最大值为 50 °C/W(脉冲测试)

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:低导通电阻(RDS(on))确保了在各种工作条件下的高效性能。
    - 快速开关时间:较低的栅极电荷(Qg)和栅极-源极电荷(Qgs)保证了快速的开关响应时间。
    - 可靠性高:符合无卤素环保标准,确保在长期使用中具有良好的稳定性和耐用性。
    - 广泛应用:适用于各种便携式设备的负载开关,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。

    4. 应用案例和使用建议


    该 MOSFET 主要用于便携式设备中的负载开关,例如手机充电器和电源管理电路。实际应用中,可以通过以下几点进行优化:
    - 布局考虑:将 MOSFET 靠近需要驱动的负载,以减少线路损耗。
    - 散热管理:确保良好的散热设计,特别是在高功率操作下。
    - 驱动电路:选用合适的驱动电路以确保快速、稳定的开关操作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与多种标准 PCB 封装兼容,适用于不同类型的设备和应用。
    - 技术支持:VBsemi 提供全面的技术支持和售后维护,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何进行再加工?
    - 解答:不建议使用烙铁手动焊接无铅组件,建议使用波峰焊或其他自动化焊接设备。

    - 问题2:最大工作温度是多少?
    - 解答:最大工作温度为 150°C,确保在使用过程中不超过此温度,以保持设备正常运行。

    - 问题3:如何确保可靠性的高稳定性?
    - 解答:使用符合 JEDEC JS709A 标准的材料,确保设备在长期使用中具备良好的稳定性。

    7. 总结和推荐


    综上所述,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 在高效能、快速开关时间和广泛适用性方面表现出色。其低导通电阻和快速开关时间使其成为便携式设备中的理想选择。VBsemi 提供的技术支持和可靠的质量保证使得该产品在市场上具有较强的竞争力。因此,我们强烈推荐该产品在各种便携式设备中使用。

K1959-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,45mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1959-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1959-VB数据手册

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K1959-VB封装设计

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