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NTD2955PT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: NTD2955PT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD2955PT4G-VB

NTD2955PT4G-VB概述


    产品简介


    P-Channel MOSFET NTD2955PT4G 是一款由VBsemi公司生产的高性能电子元器件。它属于沟槽型功率场效应晶体管(TrenchFET®),适用于多种负载开关的应用。这种MOSFET具有较高的耐压能力(VDS=60V)和低导通电阻(RDS(on)),使其非常适合用于电源管理和控制电路中。由于其低导通电阻和高电流承载能力,NTD2955PT4G可以有效地减少能量损耗并提高系统的整体效率。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 60V
    - 最大连续漏电流 (ID): 30A(TC=25°C时)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 30A(脉冲宽度≤300µs,占空比≤2%)
    - 最大正向二极管电流 (ISM): 2A
    - 最大反向恢复时间 (trr): 50ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 10nC(VDS=-30V,VGS=-10V,ID=-8.4A)
    - 零门电压漏电流 (IDSS): 最大值为-150µA(TJ=175°C)
    - 最大正向二极管电压 (VSD): -0.9V至-1.3V(IF=-2A,VGS=0V)

    产品特点和优势


    - 高效能:通过采用TrenchFET®技术,NTD2955PT4G能够实现较低的导通电阻(RDS(on)),从而显著降低能耗。
    - 高可靠性:产品通过100% UIS测试,确保了长期运行的稳定性和可靠性。
    - 宽工作温度范围:支持从-55°C到175°C的工作温度范围,适用于各种恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 负载开关:如电源转换器和逆变器中的开关元件。
    - 电池管理系统:用于控制电池的充放电过程。
    - 工业控制:应用于需要高电流和电压驱动的工业自动化系统。
    使用建议:
    - 在设计电源电路时,考虑到产品的最高工作温度和散热要求,合理布置PCB以确保良好的热管理。
    - 根据不同的工作条件选择合适的驱动电压,确保MOSFET处于最佳工作状态。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用标准TO-252封装,易于与其他电子元件集成。
    - 支持:VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,包括用户手册、技术白皮书及在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 使用更大的散热片或改进散热设计,如添加风扇。 |
    | 频繁出现栅极损坏 | 检查驱动电路,确保栅极电压符合规范要求。 |

    总结和推荐


    总体而言,NTD2955PT4G凭借其出色的性能指标、广泛的温度适应性和强大的市场竞争力,在众多同类产品中脱颖而出。无论是用于工业控制还是消费电子产品,这款MOSFET都能提供卓越的表现。我们强烈推荐此款产品给需要高性能MOSFET解决方案的工程师和设计师。

NTD2955PT4G-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 38A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD2955PT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD2955PT4G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD2955PT4G-VB NTD2955PT4G-VB数据手册

NTD2955PT4G-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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起订量: 15 增量: 2500
交货地:
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