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P2703BAG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6 具有小型封装和低功耗特性,能够满足小型电子设备和低功率应用的要求,是一款适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。
供应商型号: P2703BAG-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P2703BAG-VB

P2703BAG-VB概述

    N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    这款N-Channel 30 V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款适用于直流/交流转换器及高速开关应用的高性能电源管理元件。它具有低导通电阻、高可靠性等特点,符合RoHS指令及无卤素标准,是现代电子产品设计的理想选择。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID):6 A (TC = 25°C),在不同温度条件下有所变化
    - 脉冲漏电流 (IDM):25 A (t = 300 μs)
    - 最大功率耗散 (PD):2.5 W (TC = 25°C),在不同温度条件下有所变化
    - 最大热阻 (RthJA):75°C/W(最坏情况),稳态时为40°C/W(封装到脚部)
    - 输出电容 (Coss):100 pF
    - 输入电容 (Ciss):424 pF
    - 反向传输电容 (Crss):42 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):8.2 nC 至 13 nC
    - 导通延迟时间 (td(on)):3 ns 至 12 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):14 ns 至 21 ns
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V 和 ID = 5.5 A 的条件下,RDS(on) 仅为 0.023 Ω,在 VGS = 4.5 V 和 ID = 5 A 的条件下,RDS(on) 为 0.027 Ω。
    - 快速开关能力:具备良好的动态特性,例如短的导通延迟时间和关断延迟时间,使得它适用于高频开关电路。
    - 无卤素设计:满足IEC 61249-2-21标准定义,适合环保需求的应用。
    - 符合RoHS标准:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC,适用于环保型产品。

    应用案例和使用建议


    这款 MOSFET 可以用于多种应用场景,包括但不限于:
    - 直流/交流转换器:可以有效提升转换效率,减少能量损耗。
    - 高速开关电路:适用于需要快速响应的电路设计,如无线充电系统。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要特别注意散热设计,以防止因过热导致器件损坏。
    - 对于高频应用,应考虑 MOSFET 的栅极电容和寄生电容,合理布局以减小信号干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各类表面贴装工艺,易于集成到现代电子设备中。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和支持,帮助用户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题:电路运行中发热严重。
    - 解决方法:增加散热片或采用更好的散热设计。
    - 问题:开关频率过高,出现不稳定现象。
    - 解决方法:降低开关频率,合理调整驱动电路参数。

    总结和推荐


    这款 N-Channel 30 V MOSFET 是一款非常适合高频开关应用的高性能器件,具有低导通电阻、快速开关特性和良好的可靠性。对于追求高效能和稳定性的应用场合,强烈推荐选用此款 MOSFET。

P2703BAG-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,40mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 6A
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

P2703BAG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P2703BAG-VB数据手册

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P2703BAG-VB封装设计

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