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WTC2302A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: WTC2302A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WTC2302A-VB

WTC2302A-VB概述

    # N-Channel 20 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型与功能
    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 是一款低电压的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电路应用。其特点包括高可靠性、低导通电阻和高速开关性能。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:主要用于直流/交流转换、负载开关以及便携式应用中。
    - 应用领域:包括但不限于DC/DC转换器、便携式设备中的负载开关、电源管理和电池管理等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 20 | - | V |
    | 源极-漏极电流 | ID | - | 6 | - | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.028 | - | 0.050 | Ω |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | 1 | - | 10 | µA |
    | 输入电容 | Ciss | 865 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 105 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 55 | - | pF |
    | 门极总电荷 | Qg | 8.8 | - | 18 | nC |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 2.1 | - | W |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 无卤素设计:根据IEC 61249-2-21标准定义,符合RoHS标准。
    - TrenchFET® 技术:保证高效率和快速开关性能。
    - 100% Rg 测试:确保产品质量稳定可靠。
    市场竞争力
    - 高度集成化:减少外部元件数量,降低系统成本。
    - 出色的热阻性能:在高温条件下仍能保持优异性能。
    - 适用范围广泛:适应各种复杂环境下的应用需求。

    应用案例和使用建议


    实际应用案例
    该款MOSFET常用于便携式设备中的负载开关和电源管理电路中。在实际应用中,它可显著提高系统效率,降低功耗。
    使用建议
    - 在使用过程中,应注意散热设计以确保长期稳定运行。
    - 结合具体应用场景,选择合适的门极驱动电压以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与标准SOT-23封装兼容,便于直接替换现有产品。
    - 可与其他标准电子元器件配合使用,实现灵活配置。
    支持和服务
    - 提供详细的技术文档和技术支持,方便客户进行二次开发和系统集成。
    - 客户可通过官网联系技术支持团队获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - 问题1:门极电压不匹配导致无法正常导通。
    - 解决办法:检查并调整门极驱动电压至额定值范围内。
    - 问题2:在高频应用中出现不稳定现象。
    - 解决办法:优化电路布局,采用合理的PCB设计减少寄生效应。
    - 问题3:温升过高影响使用寿命。
    - 解决办法:增加散热措施如安装散热片或强制风冷,确保工作温度处于安全范围内。

    总结和推荐


    综合评估
    这款N-Channel 20 V MOSFET以其出色的性能和广泛的适用范围,在众多同类产品中脱颖而出。无论是从设计角度还是实用性来看,它都表现出卓越的优势。
    推荐意见
    我们强烈推荐这款MOSFET用于需要高效、高性能的电路设计项目中。其卓越的性能和高可靠性使其成为众多工程师的首选。

WTC2302A-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 8V
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WTC2302A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WTC2302A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WTC2302A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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型号 价格(含增值税)
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