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F22NM60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: F22NM60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F22NM60-VB

F22NM60-VB概述

    F22NM60-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    F22NM60-VB 是一款高性能的 N 沟道 650V(D-S)超级结功率 MOSFET。它具有低导通电阻(Ron)、超低门极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss),适合于多种高功率应用场合。其主要功能包括低损耗开关、高效率能量转换和宽温度范围内的稳定性能。F22NM60-VB 广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)等领域。

    2. 技术参数


    - 最大电压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):在 25°C 时为 0.19Ω(VGS=10V)
    - 总栅极电荷(Qg):典型值 106nC(VGS=10V)
    - 输入电容(Ciss):典型值 2322pF(VGS=0V,VDS=100V)
    - 输出电容(Coss):典型值 105pF
    - 反向传输电容(Crss):典型值 -4pF
    - 热阻抗(RthJA):最大值 62°C/W
    - 最大结到壳热阻(RthJC):最大值 5°C/W
    - 最大连续漏电流(ID):在 TJ=150°C 时为 20A(VGS=10V)
    - 重复脉冲漏电流(IMD):最大值 532A
    - 雪崩能量(EAS):最大值 360mJ
    - 最大耗散功率(PD):200W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    F22NM60-VB 的独特功能和优势使其在许多应用中表现出色:
    - 低损耗开关:低导通电阻(RDS(on))和超低门极电荷(Qg)有助于降低损耗,提高效率。
    - 高可靠性:宽温度范围和高雪崩能量能力确保在极端环境下仍能稳定工作。
    - 快速开关性能:低输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss)显著缩短了开关时间,减少了损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    F22NM60-VB 在多个应用中展现出卓越的性能。例如,在服务器和电信电源供应系统中,它可以提供高效的电源管理,从而延长系统的使用寿命并降低运行成本。对于工业应用中的高功率设备,这款 MOSFET 能够在高压环境中稳定工作,保证系统的可靠性和高效性。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计以优化器件性能和寿命。
    - 在高频开关电路中,选择合适的栅极驱动电阻以实现最佳的开关速度和最小的损耗。
    - 在设计中考虑温度补偿措施,以应对极端温度条件下的工作要求。

    5. 兼容性和支持


    F22NM60-VB 可以与标准的 TO-220 封装兼容,适用于广泛的电路板设计。厂商提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利集成并优化该器件的使用。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 使用散热器或增加冷却风扇,确保良好的热管理。|
    | 开关损耗大 | 选择合适的栅极电阻和驱动电路,以减少开关时间。|
    | 寿命短 | 确认安装正确且接线无误,检查电源纹波和过电压情况。|

    7. 总结和推荐


    总体而言,F22NM60-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 是一款性能卓越、适用广泛的产品。其高效率、可靠性和稳定性使其成为各种高功率应用的理想选择。无论是服务器电源还是工业设备,这款 MOSFET 都能提供出色的性能表现。我们强烈推荐将其作为高功率设备中的关键元件进行选用。

F22NM60-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F22NM60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F22NM60-VB数据手册

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F22NM60-VB封装设计

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