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F21NM60N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: F21NM60N-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F21NM60N-VB

F21NM60N-VB概述

    F21NM60N-VB N-Channel 650 V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    F21NM60N-VB是一款N沟道超级结功率MOSFET,具有650V(D-S)的耐压能力。它适用于多种高效率电源转换应用,如服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(包括高强度放电灯和荧光灯)。此外,它还广泛应用于工业设备中。

    技术参数


    - 基本规格
    - 耐压:650V(D-S)
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):20A
    - 最大脉冲漏极电流:4.5A
    - 最大耗散功率:200W
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:650V(VGS = 0V,ID = 250μA)
    - 门源阈值电压:2V至5V(VDS = VGS,ID = 250μA)
    - 输入电容(Ciss):2322pF(VGS = 0V,VDS = 100V,f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss):105pF
    - 反向转移电容(Crss):-4pF
    - 总栅极电荷(Qg):71nC(VGS = 10V,ID = 11A,VDS = 520V)
    - 热阻抗
    - 最大结到环境热阻(RthJA):62°C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):0.5°C/W

    产品特点和优势


    F21NM60N-VB的主要特点包括低导通电阻(Ron),低输入电容(Ciss),低栅极电荷(Qg),以及较低的开关损耗和传导损耗。这些特性使其在高效率电源转换应用中表现出色,尤其是在需要减少损耗和提高效率的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:由于其高耐压能力和低损耗,该MOSFET非常适合用于高效率的服务器和电信电源供应系统。
    - 开关模式电源(SMPS):在SMPS中,其快速开关特性和低损耗有助于提高整体系统效率。
    - 功率因数校正(PFC):F21NM60N-VB的低输入电容和低栅极电荷有助于提高PFC电路的效率。
    - 照明系统:在高强度放电灯和荧光灯的驱动电路中,该MOSFET能够提供稳定的输出并降低功耗。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑散热措施以防止过热。
    - 使用合适的驱动器来减少栅极电荷的影响。
    - 避免长时间处于最大额定电流下运行,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    F21NM60N-VB与大多数标准的电源管理IC兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户解决设计和使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最佳的工作温度?
    - 解决方案:参考数据表中的热阻抗参数,确保工作温度不超过最大额定值。

    - 问题:如何减少开关损耗?
    - 解决方案:选择合适的驱动器以减小栅极电荷的影响,并优化电路布局以减少寄生电感。
    - 问题:如何提高系统的可靠性?
    - 解决方案:使用散热片或散热风扇来提高散热效果,避免长时间满载运行。

    总结和推荐


    F21NM60N-VB是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,特别适合于高效率电源转换应用。其低导通电阻、低输入电容和低栅极电荷特性使其在各种应用场景中表现出色。强烈推荐使用此产品,特别是对于追求高效能和高可靠性的设计项目。

F21NM60N-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F21NM60N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F21NM60N-VB数据手册

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F21NM60N-VB封装设计

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