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UF450L-TF1-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: UF450L-TF1-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF450L-TF1-T-VB

UF450L-TF1-T-VB概述


    产品简介


    UF450L-TF1-T N-Channel 550V (D-S) Power MOSFET 是一款适用于多种应用场景的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它具有低面积特定导通电阻(Low Area Specific On-Resistance)、低输入电容(Ciss)和减少的电容切换损耗(Reduced Capacitive Switching Losses)等特点。这些特性使得该产品在消费电子、服务器和电信电源供应、工业设备(如焊接、感应加热、电机驱动)、电池充电器及功率因数校正(PFC)等领域有着广泛的应用。

    技术参数


    - 基本参数
    - 额定漏源电压 \( V{DS} \): 550V
    - 最大漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.26Ω(\( V{GS} = 10V \))
    - 最大栅源电荷 \( Qg \): 150nC
    - 最大输出电荷 \( Q{gd} \): 25nC
    - 最大有效输出电容 \( C{oss} \): 152pF
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 550V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V(AC)
    - 持续漏极电流 \( ID \) (TJ = 150°C): 18A(TC = 25°C),11A(TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 281mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 60W
    - 工作结温范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低面积特定导通电阻:使得器件更加高效且占用更少的空间。
    2. 低输入电容:减少了栅极驱动器的负载,降低了能耗。
    3. 减少的电容切换损耗:提高了开关速度,适合高速开关的应用。
    4. 高体二极管耐用性:增强可靠性。
    5. 雪崩能量等级:提供了更好的保护,确保在极端条件下也能稳定运行。
    6. 低成本:简化了电路设计,降低了系统成本。
    7. 简单的栅极驱动电路:降低了设计复杂度。
    8. 低优值系数(FOM):低Ron x Qg 值使得开关损耗更低,提高了效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 消费电子:用于LCD或等离子电视显示器。
    - 服务器和电信电源供应:用于开关模式电源(SMPS)。
    - 工业设备:应用于焊接、感应加热、电机驱动等。
    - 电池充电器:用于各种电池充电应用。
    - 功率因数校正(PFC):提高电源效率。
    使用建议:
    1. 在高温环境下使用时,需要特别注意功耗,以避免超过最大结温限制。
    2. 设计时要确保足够的散热措施,特别是在高电流和高频开关应用中。
    3. 为防止栅极电压过高导致损坏,建议在栅极处添加稳压电路。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UF450L-TF1-T 与市场上大多数标准电源管理IC和控制器相兼容。
    - 支持:台湾VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,包括在线支持和电话技术支持(服务热线:400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    1. Q:温度过高如何处理?
    - A: 确保安装了有效的散热装置,并避免长时间过载运行。
    2. Q:栅极驱动信号不稳定怎么办?
    - A: 检查驱动电路的设计,确保有足够的驱动能力,并减少寄生电感。
    3. Q:开关速度不够快怎么办?
    - A: 减小栅极电容,使用更快的驱动电路,优化电路布局以降低杂散电感。

    总结和推荐


    综上所述,UF450L-TF1-T N-Channel 550V (D-S) Power MOSFET 是一款性能优异、用途广泛的功率MOSFET,特别适合于对效率和可靠性能要求较高的应用场景。其显著的优势在于低功耗、快速开关能力和较高的耐用性,因此非常推荐在消费电子、工业设备和电源管理等领域使用。

UF450L-TF1-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 550V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF450L-TF1-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF450L-TF1-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF450L-TF1-T-VB UF450L-TF1-T-VB数据手册

UF450L-TF1-T-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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