处理中...

首页  >  产品百科  >  UF830L-TN3-R-VB

UF830L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: UF830L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF830L-TN3-R-VB

UF830L-TN3-R-VB概述

    UF830L-TN3-R 电子元器件技术手册

    产品简介


    UF830L-TN3-R 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于各种高电压应用。该器件以其低门极电荷(Qg)和改善的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性而著称。此外,UF830L-TN3-R 完全经过电容和雪崩电压及电流的表征,符合RoHS指令2002/95/EC标准。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 门源阈值电压(VGS(th)):2.0V 至 4.0V
    - 最大功率耗散(PD):TC=25°C时为205W
    - 电气特性
    - 最大连续漏极电流(ID):TC=25°C时为5A,TC=100°C时为4A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):16A
    - 最大重复雪崩电流(IAR):34A
    - 雪崩能量(EAS):120mJ
    - 最大瞬态热阻抗:最大结到环境热阻(RthJA)

    - 封装和安装
    - 封装类型:TO-220AB、TO-252、TO-251
    - 最大焊接温度:峰值300°C

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:UF830L-TN3-R 具有较低的门极电荷(Qg),这使得驱动要求简化。
    - 增强的鲁棒性:改善的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性,使器件在极端条件下更可靠。
    - 全面表征:通过完全表征的电容和雪崩电压及电流,确保稳定可靠的性能。
    - 环保:完全符合RoHS指令2002/95/EC标准,无有害物质。

    应用案例和使用建议


    UF830L-TN3-R 广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域。例如,在直流到交流逆变器中,该器件可以有效提高效率和减少发热。使用时,需要注意控制输入电流和电压的变化率(dI/dt 和 dV/dt),以避免损坏器件。
    使用建议:
    1. 在使用过程中,应根据具体应用选择合适的散热方案,以确保器件在安全的工作温度范围内运行。
    2. 考虑到器件的鲁棒性,建议在设计电路时留有足够的裕量,以应对突发状况。

    兼容性和支持


    UF830L-TN3-R 可以方便地与其他电子元器件和设备兼容,如逆变器、充电器等。制造商提供了详细的技术支持和售后服务,包括产品咨询、技术支持和故障排除。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下,器件无法正常工作。
    - 解决方案:确保散热设计合理,可以考虑使用散热片或其他散热装置。
    - 问题2:器件在使用过程中出现过早损坏。
    - 解决方案:检查电路中的其他元件是否存在问题,确保输入信号的稳定性和符合器件的额定参数。

    总结和推荐


    UF830L-TN3-R 是一款出色的N沟道功率MOSFET,具备优异的性能和可靠性。它的低门极电荷和增强的鲁棒性使其非常适合于各种高电压应用。此外,全面的表征和符合RoHS标准也增加了其在环保领域的竞争力。我们强烈推荐在需要高效能和高可靠性的场合使用此产品。

UF830L-TN3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

UF830L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF830L-TN3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF830L-TN3-R-VB UF830L-TN3-R-VB数据手册

UF830L-TN3-R-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336