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UTT200N03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,260A,RDS(ON),1mΩ@10V,2.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: UTT200N03-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT200N03-VB

UTT200N03-VB概述

    UTT200N03 N-Channel 30 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT200N03 是一款高性能的N-Channel 30 V MOSFET,专为电源管理和高效开关应用设计。它采用先进的TrenchFET®技术,具备低导通电阻(RDS(on))和低热阻封装。此MOSFET广泛应用于通信设备、工业自动化、汽车电子以及消费电子等领域,适用于高频率、高效率的开关电源设计。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源阈值电压 (VGS(th)) | 1.5 | 2.0 | 2.5 | V |
    | 漏源击穿电压 (VDS) | 30 | - | - | V |
    | 栅漏泄漏电流 (IGSS) | - | - | ±100 | nA |
    | 零栅压漏电流 (IDSS) | - | - | 1 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | 0.001 | - | Ω |
    | 源极连续电流 (IS) | - | 120 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | - | - | 680 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 (IAS) | - | - | 82 | A |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg)| -55 | - | +175 | °C |
    | 热阻抗 (RthJA) | - | 40 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 环保材料:根据IEC 61249-2-21定义,UTT200N03符合无卤素要求,确保对环境友好。
    2. 高性能TrenchFET®技术:低导通电阻和低热阻封装,提高了器件的效率和可靠性。
    3. 全检测试:100% Rg和UIS测试,保证产品质量。
    4. 符合RoHS标准:完全符合欧盟RoHS指令2002/95/EC,确保合规性。
    5. 低热阻封装:提高散热能力,确保器件在高温环境下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    UTT200N03 广泛应用于开关电源、电机驱动器、电池充电器等。例如,在一个典型的开关电源应用中,UTT200N03可以作为主控开关管,以实现高效的能量转换。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保负载电流不超过IDM的最大值,避免过载损坏器件。
    - 使用外部散热片以降低热阻,提高器件的工作稳定性。
    - 注意电路布局,尽量减少寄生电感和电容的影响,确保电路的可靠运行。

    兼容性和支持


    UTT200N03 可与其他标准的TO-220封装的元器件互换,确保了良好的兼容性。此外,VBsemi提供全方位的技术支持,包括详细的文档、样品测试和售后服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致器件失效
    - 解决方案:添加外部散热片,并优化电路布局,降低热阻。
    2. 问题:工作电流超过额定值
    - 解决方案:选择更大额定电流的器件,或者通过电路设计限制电流。
    3. 问题:开关速度慢
    - 解决方案:增加栅极驱动强度,减少栅极电容,提高开关速度。

    总结和推荐


    UTT200N03是一款性能卓越的N-Channel 30 V MOSFET,具备低导通电阻、低热阻封装和环保材料等显著特点。它的广泛应用涵盖了多个行业,尤其适合需要高效率和高可靠性的开关电源设计。结合VBsemi提供的全面技术支持,UTT200N03无疑是市场上极具竞争力的产品,值得强烈推荐。

UTT200N03-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1mΩ@10V,2.2mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 260A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT200N03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT200N03-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT200N03-VB UTT200N03-VB数据手册

UTT200N03-VB封装设计

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500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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